FLM0910-3F
X， Ku波段内部匹配型场效应管
特点
高输出功率： P1dB为35.0dBm = （典型值）
高增益： G1dB = 7.5分贝（典型值）
高PAE ：
η
添加= 29 ％ （典型值）。
低IM3 = -46dBc @宝= 24.0dBm
宽带： 9.5 10.5GHz
阻抗匹配寻/ ZOUT = 50Ω
描述
该FLM0910-3F是功率GaAs FET的内部匹配的
标准的通信频带，以提供最佳的功率和增益的
50欧姆系统。
Eudyna严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
PT
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
25.0
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过10伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过13.0和-1.4毫安分别与
100Ω的栅极电阻。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
在1分贝G.C.P.输出功率
功率增益1分贝G.C.P.
漏电流
功率附加英法fi效率
增益平坦度
三阶互调
失真
热阻
通道温度上升
类型：
IA
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
G1dB
IDSR
η
添加
G
IM3
RTH
T
ch
F = 10.5 GHz的，
f
= 10 MHz的
2音测试
噘嘴= 24.0dBm S.C.L.
渠道情况
10V X IDSR X的Rth
测试条件
VDS = 5V ， VGS = 0V
VDS = 5V ， IDS = 900毫安
VDS = 5V ， IDS = 70毫安
IGS = -70μA
VDS = 10V ，
IDS
=
0.6 IDSS （典型值） ，
F = 9.5 10.5 GHz的，
ZS = ZL = 50欧姆
分钟。
-
-
-0.5
-5.0
34.0
6.5
-
-
-
-44
-
-
极限
典型值。马克斯。
1400 2100
-
1300
-1.5
-
35.0
7.5
900
29
-
-46
5.0
-
-3.0
-
-
-
1100
-
±0.6
-
6.0
66
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
mA
%
dB
dBc的
° C / W
°C
GCP ：增益压缩点， SCL ：单载波水平
1.2版
2004年8月
1
FLM0910-3F
X， Ku波段内部匹配型场效应管
机箱样式"IA"
金属陶瓷密封封装
1.5分钟。
(0.059)
1
2-R 1.25±0.15
(0.049)
0.1
(0.004)
4
2
3
0.5
(0.020)
1.5分钟。
(0.059)
1.8±0.15
(0.071)
3.2最大。
(0.126)
8.1
(0.319)
最大0.2 。
(0.008)
1.15
(0.045)
9.7±0.15
(0.382)
13.0±0.15
(0.512)
16.5±0.15
(0.650)
1.
2.
3.
4.
门
源（ FL法兰）
漏
源（ FL法兰）
单位：mm （英寸）
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小心
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4
