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富士通半导体
数据表
DS07-10203-1E
谐振器
压电谐振器
(4至23.9兆赫)
FAR家庭(C4系列N型)
s
描述
富士通谐振器的C4系列( N型)的特征最初开发的单晶具有高的机电
系数(铌酸锂
3
:铌酸锂) ,结果是非常紧凑的包装。
C4系列(N型)与微电脑时钟独家使用内置的电容,这个系列是超低
资料片式器件的表面贴装( SMT ) 。
s
特点
超低调H = 1.6毫米
直接振荡在4至23.9兆赫的频率。
适用于单片机的时钟源
浮雕类型的包进行自动安装
卓越的抗冲击和抗振动,在自动安装防止损坏
s
FAR家庭(C4系列N型)
s
标准特性
系列
参数
材料
频率
标准频率
初始频率偏差
温度特性
( -20 ° C至+ 60 ° C)
内置的电容器的容量
老化稳定性
工作温度
储存温度
标准测量电路
C4系列( N型)
铌酸锂(铌酸锂
3
)
4到17兆赫
±0.3%
(K)
±0.5%
(M)
±1.0%
(L)
±0.5%
10 ± 4 pF的30 ± 8 pF的也可以。
容量由富士通指定,
考虑到相匹配的数据
应用IC(主要是微型计算机) 。
17.1 23.9兆赫
时的频率大于
17.1兆赫,只有L型偏差可
制成。
查看“S标准频率。 ”
±1.0%
(L)
备注
20 ± 8 pF的(标准)
±0.1%
-30℃ + 85℃
-40 ° C至+ 100°C
共振频率
1 M
小于4兆赫至10兆赫
集成电路: 1 / 6MB84069B ×2
10兆赫至20.0兆赫
集成电路: 1 / 6MC74HC04 ×2
20.1 MHz至23.9 MHz的
集成电路: 1 / 6MC74HCU04 ×2
R
C
1
C
2
V
CC
: 5 V DC
R :谐振器
C
1
, C
2
:负载电容(内置)
FAR
串联谐振电阻
R
75
OSC
C
1
C
2
75
LM
R:谐振器
测量仪器:网络分析仪
2
FAR家庭(C4系列N型)
s
标准频率
标准频率(KHz )
4,000
4,194
4,915
6,000
6,144
7,373
8,000
8,388
9,830
10,000
11,059
12,000
12,288
14,746
16,000
16,934
19,661
20,000
包装尺寸
N
谐振电阻
300
马克斯。
(符号: 0 )
N
75
马克斯。
(符号: 2 )
注意事项:
富士通还可以开发除了标准的设备适用的装置,如果它的振荡频率是
从4到23.9兆赫。
零件谐振电阻比标准之外,富士通应指定其谐振电阻
根据施加的频率。 (请参阅“ 频率和标准的共振性。 ” )
频率和标准的共振阻力
频率
4.00至5.99兆赫
6.00至23.99兆赫
标准谐振电阻
300
最大。 (符号: 0 )
75
最大。 (符号: 2 )
注意:
定制设计的一部分谐振电阻应考虑指定匹配条件与
适用IC富士通。
s
使用注意事项
小心处理
在下列条件下焊接。
5秒最大。在230℃ (PCB)的
推荐的预热是150℃ ,以不极度热施加到谐振器一分钟。
避免气温的剧烈变化。
有在谐振器的安装没有具体的方向。
在振荡电路与微机或其它IC使用时振荡数据应进行检查。
适用于回流焊,而不是流焊。
3
FAR家庭(C4系列N型)
s
部分编号系统
FAR - C 4 C N -
(1) (2) (3)
(4)
(5) (6) (7) (8) (9)
(1)系列
系列
C4
( 2 )封装类型
规范
C
( 3 )封装类型
规范
N
(4 )频率
(例)单位:kHz (指定在五位数。 )
频率
为7.373MHz
查看“S标准频率” 。
( 5 )初始频率偏差
规范
K
M
L
( 6 )内置电容器
规范
0
1
2
( 7 )谐振电阻
规范
0
2
4
谐振电阻
300
马克斯。
75
马克斯。
电容
20 ± 8 pF的
10 ± 4 pF的
30 ± 8 pF的
偏差
±0.3%
±0.5%
±1.0%
规范
07373
SIZE
8.0
×
3.2
×
1.6
TYPE
芯片
单晶
铌酸锂
3
电容储能
借助内置的电容储能
FAR家庭(C4系列N型)
( 8 )特定于用户的特殊符号
规范
名字
A到Z
( 9 )谐振电阻
规范
R
描述
16毫米宽压纹带盘绕3000次
描述
不规范,不规范的录音
不规范,有规范的录音
序列号为定制设计
5
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