订购数量： ENA1905A
CPH3355
三洋半导体
数据表
CPH3355
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
导通电阻RDS （ ON） 1 = 120米
Ω
（典型值）。
4V DRIVE
无卤合规
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
--30
±20
--2.5
--10
1
150
-
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
本产品设计为“静电放电抗扰度< 200V *” ，所以请搬运时要小心。
*
机器型号
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7015A-004
CPH3355-TL-H
2.9
0.6
0.15
产品&包装信息
包
： CPH3
JEITA ， JEDEC
： SC - 59 ， TO- 236 ， SOT -23
最小包装数量： 3000个/卷。
包装类型： TL
记号
3
WM
TL
2.8
1.6
0.05
0.6
1
0.95
2
0.4
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
三洋： CPH3
电气连接
3
0.9
0.2
1
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
60612 TKIM / D2210PE TKIM TC- 00002536号A1905-1 / 7
LOT号
0.2
CPH3355
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
-1mA,
VGS=0V
ID = -
-30V,
VGS=0V
VDS = -
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
-10V,
ID = -
-1mA
VDS = -
-10V,
ID = -
-1A
VDS = -
-1A,
VGS = -
-10V
ID = -
-0.5A,
VGS = -
-4.5V
ID = -
-0.5A,
VGS = -
-4V
ID = -
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = - 15V ， VGS = - 10V ， ID = - 2.5A
VDS = - 15V ， VGS = - 10V ， ID = - 2.5A
VDS = - 15V ， VGS = - 10V ， ID = - 2.5A
IS = - 2.5A ， VGS = 0V
评级
民
--30
-
-1
±10
--1.2
1.9
120
187
213
172
51
36
4.5
4.2
20
10.6
3.9
0.6
0.8
--0.86
--1.5
156
262
299
-
-2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
0V
--10V
VIN
D
PW=10μs
D.C.≤1%
G
ID = --1A
RL=15Ω
VOUT
VDD = --15V
CPH3355
P.G
50Ω
S
订购信息
设备
CPH3355-TL-H
包
CPH3
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1905-2 / 7
