CNY17
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
A
C
NC
i179004
1
2
3
6 B
5 C
4 E
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
机构认证
描述
该CNY17是一个光学耦合一对组成的一个
砷化镓红外发光二极管光耦合到
硅NPN phototransitor 。
信号的信息，包括一个DC电平，可以传送
通过该装置，同时保持电高度
输入和输出之间的隔离。
该CNY17可以用来代替继电器和变压器
在许多数字接口的应用程序，以及模拟
应用诸如CRT调制。
美国保险商实验室的文件中没有。 E52744系统代号H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC 60950 IEC 60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1X006
CNY17-1X007
CNY17-1X009
CNY17-2X006
CNY17-2X007
CNY17-2X009
CNY17-3X006
CNY17-3X007
CNY17-3X009
CNY17-4X006
CNY17-4X007
CNY17-4X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
点击率4080 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项9 ）
点击率63 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项9 ）
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
t
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
6.0
60
2.5
100
V
mA
A
mW
测试条件
符号
价值
单位
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
CNY17
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
绝对最大额定值
参数
产量
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流
功耗
耦合器
绝缘测试电压
发射器与检测器之间被称为气候
DIN 50014第2部分11月74
爬电距离
间隙距离
间隔离厚度
发射器和检测器
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
储存温度
工作温度
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：距离
飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
T = 1.0秒
V
ISO
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
mm
吨< 1.0毫秒
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
C
P
DISS
70
7.0
50
100
150
V
V
mA
mA
mW
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
集电极电容基地
发射基地电容
热阻
耦合器
集电极 - 发射极，饱和电压
耦合电容
CNY17-1
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 10 V
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
V
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
0.4
V
pF
nA
nA
nA
nA
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
EB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
C
CE
C
CB
C
EB
R
th
5.2
6.5
7.5
500
pF
pF
pF
K / W
I
F
= 60毫安
I
R
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
1.25
1.65
V
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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2
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文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
CNY17
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
威世半导体
电流传输比
参数
测试条件
部分
CNY17-1
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 1毫安
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
记
受短线数字电流传输比和集电极 - 发射极漏电流（T
AMB
°C).
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
马克斯。
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
截止频率
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 20毫安
开启时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
上升时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
打开-O FF时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
下降时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
部分
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
f
CO
t
on
t
on
t
on
t
on
t
r
t
r
t
r
t
r
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
f
t
f
t
f
t
f
分钟。
典型值。
3.0
2.0
2.3
2.0
250
3.0
4.2
4.2
6.0
2.0
3.0
3.0
4.6
18
23
23
25
11
14
14
15
马克斯。
单位
s
s
s
s
千赫
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
线性运算（不饱和）
开关操作（与饱和度）
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
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3
CNY17
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
(T
A
= 0 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
I
F
R
L
= 75
Ω
I
C
V
CC
= 5
V
I
C
(%)
I
F
100
1
2
3
4
47
Ω
10
1
icny17_01
0.1
icny17_04
1
10
I
F
（MA ）
图。 1 - 线性操作（不饱和）
图。 4 - 电流传输比主场迎战二极管电流
1000
I
F
1 kΩ
V
CC
= 5
V
(T
A
= 25 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
C
(%)
I
F
100
47
Ω
10
1
2
3
4
icny17_02
1
0.1
icny17_05
1
10
I
F
（MA ）
图。 2 - 开关运行（饱和度）
图。 5 - 电流传输比主场迎战二极管电流
1000
(T
A
= - 25 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
1000
(T
A
= 50 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
C
(%)
I
F
I
C
(%)
I
F
100
1
2
3
4
100
1
2
3
4
10
10
1
0.1
icny17_03
1
1
10
icny17_06
0.1
1
10
I
F
（MA ）
I
F
（MA ）
图。 3 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 6 - 电流传输比主场迎战二极管电流
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4
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
CNY17
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
威世半导体
1000
(T
A
= 75 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
40
I
C
= F（V
CE
)
I
F
= 14毫安
30
I
C
(%)
I
F
100
I
C
20
I
F
= 12毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 7毫安
10
1
2
3
4
10
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 2毫安
10
15
1
0.1
icny17_07
0
1
10
0
icny17_10
5
I
F
（MA ）
V
CE
(V)
图。 7 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 10 - 输出特性
1000
(I
F
= 10毫安，
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F （t）的
4
1.2
V
F
= F（我
F
)
25 °C
50 °C
75 °C
1.1
I
C
(%)
I
F
100
1
V
F
(V)
1.0
0.9
0
25
50
75
icny17_11
3
2
10
- 25
icny17_08
0.1
1
10
100
T
A
(°C)
I
F
（MA ）
图。 11 - 正向电压
图。 8 - 电流传输比（ CTR ）与温度的关系
30
25
20
15
I
B
= 20
A
1
I
C
= F（V
CE
)
I
F
= 0
I
B
= 40
A
V
CE
= 35
V
I
首席执行官
= F （V ， T）
(I
F
= 0)
I
首席执行官
(A)
I
C
（MA ）
0.1
10
5
0
0
icny17_09
I
B
= 15
A
I
B
= 10
A
I
B
=
I
B
=
0.01
V
CE
= 12
V
5
A
2
A
0.001
5
V
CE
(V)
10
15
icny17_12
0
25
50
75 °C
TA
100
图。 9 - 晶体管特性
图。 12 - 集电极发射极截止电流
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
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5
CNY17
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
e3
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
美国保险商实验室文件＃ E52744
系统代码H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
i179004
订购信息
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1X006
CNY17-1X007
CNY17-1X009
CNY17-2X006
CNY17-2X007
CNY17-2X009
CNY17-3X006
CNY17-3X007
CNY17-3X009
CNY17-4X006
CNY17-4X007
CNY17-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17是一个光学耦合一对组成的
一个砷化镓红外发光二极管光
耦合到一个硅NPN晶体管。
信号的信息，包括一个DC电平，可以是反式
通过该装置，同时保持较高程度mitted
的输入和输出之间的电隔离。
该CNY17可以用来代替继电器和反
剂在许多数字接口的应用程序，以及
作为模拟应用诸如CRT调制。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
CNY17
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
t
≤
10 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射极简称&探测器
气候DIN 50014 ，
第2部分11月74）
爬电距离
间隙距离
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
吨= 1秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
12
≥1
0
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
mm
mm
mm
Ω
Ω
°C
°C
°C
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2
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
CNY17
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
EB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
CB
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V，I
首席执行官
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
测试条件
V
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
受短线数字电流传输比和集电极 - 发射极漏电流（T
AMB
°C)
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
3
CNY17
威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17_06
icny17_03
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ T A = 0 ° C，
V
CE = 5.0
V)
I C / I F = F （ I F ）
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
1
2
3
4
icny17_04
icny17_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17_05
icny17_08
TA
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
5
CNY17
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
A
C
NC
i179004
1
2
3
6 B
5 C
4 E
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
机构认证
描述
该CNY17是一个光学耦合一对组成的一个
砷化镓红外发光二极管光耦合到
硅NPN phototransitor 。
信号的信息，包括一个DC电平，可以传送
通过该装置，同时保持电高度
输入和输出之间的隔离。
该CNY17可以用来代替继电器和变压器
在许多数字接口的应用程序，以及模拟
应用诸如CRT调制。
美国保险商实验室的文件中没有。 E52744系统代号H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC 60950 IEC 60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1X006
CNY17-1X007
CNY17-1X009
CNY17-2X006
CNY17-2X007
CNY17-2X009
CNY17-3X006
CNY17-3X007
CNY17-3X009
CNY17-4X006
CNY17-4X007
CNY17-4X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
点击率4080 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项9 ）
点击率63 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项9 ）
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
t
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
6.0
60
2.5
100
V
mA
A
mW
测试条件
符号
价值
单位
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
CNY17
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
绝对最大额定值
参数
产量
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流
功耗
耦合器
绝缘测试电压
发射器与检测器之间被称为气候
DIN 50014第2部分11月74
爬电距离
间隙距离
间隔离厚度
发射器和检测器
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
储存温度
工作温度
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：距离
飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
T = 1.0秒
V
ISO
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
mm
吨< 1.0毫秒
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
C
P
DISS
70
7.0
50
100
150
V
V
mA
mA
mW
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
集电极电容基地
发射基地电容
热阻
耦合器
集电极 - 发射极，饱和电压
耦合电容
CNY17-1
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 10 V
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
V
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
0.4
V
pF
nA
nA
nA
nA
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
EB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
C
CE
C
CB
C
EB
R
th
5.2
6.5
7.5
500
pF
pF
pF
K / W
I
F
= 60毫安
I
R
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
1.25
1.65
V
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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2
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文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
CNY17
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
威世半导体
电流传输比
参数
测试条件
部分
CNY17-1
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 1毫安
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
记
受短线数字电流传输比和集电极 - 发射极漏电流（T
AMB
°C).
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
马克斯。
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
截止频率
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 20毫安
开启时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
上升时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
打开-O FF时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
下降时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
部分
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
f
CO
t
on
t
on
t
on
t
on
t
r
t
r
t
r
t
r
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
f
t
f
t
f
t
f
分钟。
典型值。
3.0
2.0
2.3
2.0
250
3.0
4.2
4.2
6.0
2.0
3.0
3.0
4.6
18
23
23
25
11
14
14
15
马克斯。
单位
s
s
s
s
千赫
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
线性运算（不饱和）
开关操作（与饱和度）
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
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3
CNY17
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
(T
A
= 0 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
I
F
R
L
= 75
Ω
I
C
V
CC
= 5
V
I
C
(%)
I
F
100
1
2
3
4
47
Ω
10
1
icny17_01
0.1
icny17_04
1
10
I
F
（MA ）
图。 1 - 线性操作（不饱和）
图。 4 - 电流传输比主场迎战二极管电流
1000
I
F
1 kΩ
V
CC
= 5
V
(T
A
= 25 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
C
(%)
I
F
100
47
Ω
10
1
2
3
4
icny17_02
1
0.1
icny17_05
1
10
I
F
（MA ）
图。 2 - 开关运行（饱和度）
图。 5 - 电流传输比主场迎战二极管电流
1000
(T
A
= - 25 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
1000
(T
A
= 50 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
C
(%)
I
F
I
C
(%)
I
F
100
1
2
3
4
100
1
2
3
4
10
10
1
0.1
icny17_03
1
1
10
icny17_06
0.1
1
10
I
F
（MA ）
I
F
（MA ）
图。 3 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 6 - 电流传输比主场迎战二极管电流
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4
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
CNY17
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
威世半导体
1000
(T
A
= 75 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
40
I
C
= F（V
CE
)
I
F
= 14毫安
30
I
C
(%)
I
F
100
I
C
20
I
F
= 12毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 7毫安
10
1
2
3
4
10
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 2毫安
10
15
1
0.1
icny17_07
0
1
10
0
icny17_10
5
I
F
（MA ）
V
CE
(V)
图。 7 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 10 - 输出特性
1000
(I
F
= 10毫安，
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F （t）的
4
1.2
V
F
= F（我
F
)
25 °C
50 °C
75 °C
1.1
I
C
(%)
I
F
100
1
V
F
(V)
1.0
0.9
0
25
50
75
icny17_11
3
2
10
- 25
icny17_08
0.1
1
10
100
T
A
(°C)
I
F
（MA ）
图。 11 - 正向电压
图。 8 - 电流传输比（ CTR ）与温度的关系
30
25
20
15
I
B
= 20
A
1
I
C
= F（V
CE
)
I
F
= 0
I
B
= 40
A
V
CE
= 35
V
I
首席执行官
= F （V ， T）
(I
F
= 0)
I
首席执行官
(A)
I
C
（MA ）
0.1
10
5
0
0
icny17_09
I
B
= 15
A
I
B
= 10
A
I
B
=
I
B
=
0.01
V
CE
= 12
V
5
A
2
A
0.001
5
V
CE
(V)
10
15
icny17_12
0
25
50
75 °C
TA
100
图。 9 - 晶体管特性
图。 12 - 集电极发射极截止电流
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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5
CNY17
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
e3
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
美国保险商实验室文件＃ E52744
系统代码H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
i179004
订购信息
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1X006
CNY17-1X007
CNY17-1X009
CNY17-2X006
CNY17-2X007
CNY17-2X009
CNY17-3X006
CNY17-3X007
CNY17-3X009
CNY17-4X006
CNY17-4X007
CNY17-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17是一个光学耦合一对组成的
一个砷化镓红外发光二极管光
耦合到一个硅NPN晶体管。
信号的信息，包括一个DC电平，可以是反式
通过该装置，同时保持较高程度mitted
的输入和输出之间的电隔离。
该CNY17可以用来代替继电器和反
剂在许多数字接口的应用程序，以及
作为模拟应用诸如CRT调制。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
CNY17
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
t
≤
10 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射极简称&探测器
气候DIN 50014 ，
第2部分11月74）
爬电距离
间隙距离
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
吨= 1秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
12
≥1
0
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
mm
mm
mm
Ω
Ω
°C
°C
°C
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CNY17
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
EB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
CB
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V，I
首席执行官
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
测试条件
V
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
受短线数字电流传输比和集电极 - 发射极漏电流（T
AMB
°C)
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
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威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17_06
icny17_03
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ T A = 0 ° C，
V
CE = 5.0
V)
I C / I F = F （ I F ）
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
1
2
3
4
icny17_04
icny17_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17_05
icny17_08
TA
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
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