CEP540N/CEB540N
CEF540N
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
动态特性
c
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
b
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 18A
V
DS
= 80V ，我
D
= 18A,
V
GS
= 10V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
2
45
民
100
25
100
-100
4
53
典型值
最大
单位
V
A
nA
nA
V
m
栅极阈值电压
V
DS
= 25V ，我
D
= 18A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
14
1300
196
28
17
10
36
5
28
6
9
36
1.3
34
20
72
10
56
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
V
DD
= 50V ，我
D
= 18A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 5.1
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
D.L = 1.9mH ，我
AS
= 18A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25 C
2
