R
性S E M I C 0 N D ü （C T）
1W的硅平面齐纳二极管
DO-41(GLASS)
特点
为稳定并削减与高额定功率的电路中使用。
齐纳电压是根据国际E24分级
标准。
其它电压容限，并应要求提供更高的齐纳电压。
0.102(2.6)
最大
迪亚
1.102(28)
民
0.161(4.1)
最大
机械数据
例
:
DO-41
玻璃柜
重量
:
约。 0.35克
0.034(0.86)
最大
迪亚
1.102(28)
民
尺寸以英寸（毫米）
绝对最大额定值（极限值）
(T
A
=25 C)
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
A
=25 C
结温
存储温度范围
P
合计
T
J
T
英镑
1
1)
200
-65到+ 200
W
C
C
1）有效的规定，从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
电气特性
(T
A
=25 C)
热阻结到环境空气
在我正向电压
F
=200mA
R
THA
V
F
170
1)
1.2
K / W
V
1）有效的规定，从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
齐纳电压范围
1)
V
Z
喃
V
BZV 85 / C 39
BZX 85 / C 43
BZX 85 / C 47
BZX 85 / C 51
BZX 85 / C 56
BZX 85 / C 62
BZX 85 / C 68
BZX 85 / C 75
BZX 85 / C 82
BZX 85 / C 91
BZX 85 / C 100
BZX 85 / C 110
BZX 85 / C 120
BZX 85 / C 130
BZX 85 / C 150
BZX 85 / C 160
BZX 85 / C 180
BZX 85 / C 200
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
1.5
2
2.7
77...87
85...96
94...106
104...116
114...127
124...141
138...156
153...171
168...191
188...212
4
mA
6
I
ZT
对于V
ZT
2)
I
R
在V
R
V
mA
<50
<90
<115
<120
<125
<135
<135
<200
<250
<350
<450
<550
<700
<1000
<1100
<1200
<1500
<4000
<4500
<5000
<6000
<6500
<7000
<8000
<3000
<2000
<1000
A
V
30
33
<1500
36
39
43
47
51
<0.5
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
2)
TK
VZ
%/K
37...41
40...46
44...50
48...54
52...60
58...66
64...72
0.06...0.095
0.07...0.10
0.07...0.11
注1）测试脉冲TP = 20ms的
2）在从情况下的距离为8mm有效的规定，引线被保持在环境温度
