BD439 BD441
BD440 BD442
NPN
PNP
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BD439 ， BD440
系列类型是互补硅功率
晶体管，通过外延碱处理制造的
专为中等功率，低速切换
应用程序。
标记：全部型号
其他芯片
功率晶体管
TO- 126 CASE
最大额定值：
(TC=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（ t≤10ms ）
基极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
热阻
电气特性：
(TC=25°C)
符号
测试条件
ICBO
VCB =额定VCBO
冰
IEBO
BVCEO
BVCEO
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
VCE =额定VCEO
VEB=5.0V
IC = 100毫安（ BD439 ， BD440 ）
IC = 100毫安（ BD441 ， BD442 ）
IC = 2.0A ， IB = 200毫安
VCE = 1.0V ， IC = 2.0A
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
IC = 10毫安（ BD439 ， BD440 ）
IC = 10毫安（ BD441 ， BD442 ）
20
15
40
25
15
3.0
兆赫
60
80
0.8
1.5
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
Θ
JC
BD439
BD440
60
60
60
5.0
4.0
7.0
1.0
36
-65到+150
100
3.5
BD441
BD442
80
80
80
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
° C / W
° C / W
民
最大
100
100
1.0
单位
μA
μA
mA
V
V
V
V
VCE = 1.0V ， IC = 500毫安
VCE = 1.0V ， IC = 2.0A （ BD439 ， BD440 ）
VCE = 1.0V ， IC = 2.0A （ BD441 ， BD442 ）
VCE = 1.0V ， IC = 250毫安
R1 （ 2009年2月）
BD435 ， BD437 ， BD439 ，
BD441
塑料中功率
硅NPN晶体管
这一系列的塑料，中等功率硅NPN晶体管可
用于放大器和开关应用。互补型
是BD438和BD442 。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用*
4.0安培
功率晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
价值
32
45
60
80
32
45
60
80
单位
VDC
集电极 - 发射极电压
BD435
BD437
BD439
BD441
BD435
BD437
BD439
BD441
集电极 - 基极电压
V
CBO
VDC
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
V
EBO
I
C
I
B
5.0
4.0
1.0
VDC
ADC
ADC
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
36
288
W
W / ℃，
°C
T
J
, T
英镑
- 55至+ 150
TO225AA
CASE 77
风格1
3 2
1
标记图
YWW
BD4xxG
BD4xx
Y
WW
G
=器件代码
XX = 35 ， 37 ， 37T ， 39 ， 41
=年
=工作周
= Pb-Free包装
热特性
特征
符号
q
JC
最大
3.5
单位
订购信息
设备
BD435
BD435G
BD437
BD437G
BD437T
BD437TG
BD439
BD439G
BD441
BD441G
包
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
航运
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
50单位/铁
50单位/铁
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
热阻，结到外壳
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
十月， 2005-启示录14
出版订单号：
BD437/D
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
电流增益 - 带宽积
(V
CE
= 1.0 V，I
C
= 250 mA时， F = 1.0兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 2.0 A，V
CE
= 1.0 V)
集电极饱和电压
(I
C
= 2.0 A，I
B
= 0.2 V)
(I
C
= 3.0 A，I
B
= 0.3 A)
直流电流增益
(I
C
= 2.0 A，V
CE
= 1.0 V)
直流电流增益
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 1.0 V)
直流电流增益
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 32 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 45 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 60 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 80 V，I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100
毫安，
I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
毫安，
I
B
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 0)
特征
BD435 ， BD437 ， BD439 ， BD441
BD435
BD437 ， BD439 ， BD441
http://onsemi.com
BD435
BD437
BD439 ， BD441
BD435
BD437
BD439
BD441
BD435
BD437
BD439
BD441
BD435
BD437
BD439
BD441
BD435
BD437
BD439
BD441
BD435
BD437
BD439
BD441
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
EBO
h
FE
h
FE
h
FE
f
T
民
3.0
5.0
50
40
25
15
85
85
40
40
30
20
15
32
45
60
80
32
45
60
80
典型值
最大
475
375
475
1.1
0.5
0.8
1.0
0.1
0.1
0.1
0.1
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
2
BD435 ， BD437 ， BD439 ， BD441
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
1.6
I
C
= 10 A
百毫安
1.0 A
3.0 A
1.2
0.8
T
J
= 25°C
0.4
0
0.05 0.070.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50 70 100
200 300
500
图1.集电极饱和区
hFE参数，电流增益（标准化）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
I
C
，集电极电流（ AMP ）
1
2
3
5
BD433 ， 435 ， 437
BD439 ， 441
图2.电流增益
T
J
= 25°C
1.6
电压（伏）
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
10
4.0
T
J
= 150°C
1.0
0.5
dc
5毫秒
1.2
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
二次击穿
热限制牛逼
C
= 25°C
焊线LIMIT
曲线适用于低于额定V
首席执行官
BD437
BD439
BD441
0.6
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.005 0.01 0.02 0.030.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
0.1
1.0
2.0
10
20
100
5.0
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图3. “开”电压
图4.活动区安全工作区
http://onsemi.com
3
BD435 ， BD437 ， BD439 ， BD441
包装尺寸
TO225AA
CASE 77-09
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 077-01 THRU -08陈旧，新标准
07709.
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.065
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.65
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
B
U
Q
F
M
C
A
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
BD437/D
BD439/BD441
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
NPN
TYPE
塑料封装晶体管
TO-126
8.0
±0.2
2.0
±0.2
4.14
±0.1
11.0
±0.2
1
2
3
O2.8
±0.1
O
3.2
±0.1
特点
*放大器和开关应用
3.2
±0.2
1.4
±0.1
o
最大额定值* T
A
=25
C
除非另有说明
1.27
±0.1
15.3
±0.2
0.76
±0.1
2.28典型。
符号
V
CBO
Paramete
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
储存温度
BD439
BD441
BD439
BD441
价值
60
80
60
80
5
4
1.25
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
o
V
首席执行官
4.55
±0.1
0.5
± 0.1
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
C
C
单位：毫米
o
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
TEST
除非
否则
特定网络版）
民
典型值
最大
单位
V
条件
BD439
BD441
IC 。
100
μA ，我
E
=0
60
80
60
80
5
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
IC 。
100
妈，我
B
=0
I
E
=
100
μA ，我
C
=0
V
CB
=60V,I
E
=0
V
CB
=80V,I
E
=0
V
EB
=
5
V，I
E
=0
V
CE
=
1
V，I
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
10
mA
V
CE
=
1
V，I
C
=
2
A
I
C
=3A,I
B
=0.3A
V
CE
=
1
V，I
C
=
2
A
V
CE
=
1
V，I
C
=
250
mA
BD439
BD441
V
V
BD439
BD441
100
1
40
475
μA
mA
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
BD439
BD441
BD439
BD441
20
15
25
15
0.8
1.1
3
V
V
兆赫
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
第1页
2
BD439/BD441
公司Bauelemente
NPN
TYPE
塑料封装晶体管
典型特征
BD439，441
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
页面
2of 2
BD439/441
BD439/441
中功率线性和开关
应用
分别BD442补到BD440
1
TO-126
2.Collector
3.Base
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
： BD439
： BD441
V
CES
集电极 - 发射极电压
： BD439
： BD441
集电极 - 发射极电压
： BD439
： BD441
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
参数
1.发射器
价值
60
80
60
80
60
80
5
4
7
1
36
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： BD439
： BD441
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
*直流电流增益
： BD439
： BD441
： BD439
： BD441
： BD439
： BD441
： BD439
： BD441
： BD439
： BD441
测试条件
I
C
= 100mA时我
B
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CB
= 80V ，我
E
= 0
V
CE
= 60V, V
BE
= 0
V
CE
= 80V, V
BE
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 500毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 2A
I
C
= 2A ，我
B
= 0.2A
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 2A
V
CE
= 1V ，我
C
= 250毫安
3
0.58
1.5
20
15
40
40
25
15
130
130
140
140
分钟。
60
80
100
100
100
100
1
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
A
A
A
mA
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压ON
电流增益带宽积
0.8
V
V
V
兆赫
*脉冲测试： PW = 300μS ，占空比= 1.5 ％脉冲
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年6月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
H2牧师
BD439/BD440
BD441/BD442
互补硅功率晶体管
s
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPES
互补PNP - NPN器件
描述
的BD439和BD441是硅外延基
NPN功率晶体管在JEDEC的SOT- 32塑料
包装， intented在电力线的使用和
开关应用。
互补PNP类型是BD440 ，并
BD442分别。
SOT-32
3
2
1
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值（T
≤
10毫秒）
基极电流
总功耗在T
c
≤ 25
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
BD439
BD440
60
60
60
5
4
7
1
36
-65到150
150
价值
BD441
BD442
80
80
80
V
V
V
V
A
A
A
W
o
o
单位
C
C
为PNP型的电压和电流值是负的。
1997年5月
1/4
BD439/BD440/BD441/BD442
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
...
4/4
TRANSYS
电子
L I M I T E
外延硅功率晶体管
BD433
BD435
BD437
BD439
BD441
NPN
BD434
BD436
BD438
BD440
BD442
PNP
EC
B
TO126
塑料包装
拟用于中等功率线性和开关应用中使用
绝对最大额定值
描述
符号
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
基极电流
总功耗@ T
C=
25C
总功耗@ T
a=
25C
减免上述25℃
工作和存储
结温范围
热阻
结到外壳
结到环境中的自由空气
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
3.5
100
摄氏度/ W
摄氏度/ W
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
P
D
BD433
BD434
22
22
22
BD435
BD436
32
32
32
BD437
BD438
45
45
45
5.0
4.0
7.0
1.0
36.0
1.25
10
- 65 150
BD439
BD440
60
60
60
BD441
BD442
80
80
80
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W
毫瓦/°C的
C
集电极电流峰值（ T = 10ms_
I
CM
T
j
, T
英镑
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
测试条件
描述
符号
BD433 BD435 BD437 BD439 BD441
BD434 BD436 BD438 BD440 BD442
V
CB
=额定V
CBO ，
I
E
=0
I
CBO
收藏家切断电流
<100 <100 <100
<100
<100
收藏家切断电流
发射器切断电流
集电极发射极可持续
电压
集电极发射极饱和
电压
基极发射极电压
I
CES
I
EBO
*V
CEO （ SUS）
*V
CE （SAT）
V
BE
=0, V
CE
=额定V
CES
V
EB
=5V
,
I
C
=0
I
C
= 100mA时我
B
=0
I
C
= 2.0A ，我
B
=0.2A
<100
<1.0
>22
<0.5
<100
<1.0
>32
<0.5
<100
<1.0
>45
<0.6
典型值0.58
<1.1
<1.1
<1.2
<1.5
<1.5
<100
<1.0
>60
<0.8
<100
<1.0
>80
<0.8
单位
A
A
mA
V
V
V
V
*V
BE（上）
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V
所有
I
C
= 2.0A ，V
CE
=1V
外延硅功率晶体管
BD433
BD435
BD437
BD439
BD441
NPN
BD434
BD436
BD438
BD440
BD442
PNP
EC
B
TO126
塑料包装
电气特性（T
C
= 25C除非另有规定）
测试条件
描述
符号
BD433 BD435 BD437 BD439 BD441
BD434 BD436 BD438 BD440 BD442
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V
*h
FE
>40
>40
>30
>20
>15
直流电流增益
I
C
= 500毫安，V
CE
=1V
>85
>85
>85
>40
>40
I
C
= 2.0A ，V
CE
=1V
>50
>50
>40
>25
>15
*h
FE1
/ h
FE2
电流增益带宽
产品
匹配I = 500毫安，V = 1V
所有
C
CE
对
I
C
= 250毫安，V
CE
=1V
所有
f
T
<1.4
>3.0
单位
兆赫
*脉冲脉宽= 300μS ，占空比= 1.5 ％
BD433
BD435
BD437
BD439
BD441
NPN
BD434
BD436
BD438
BD440
BD442
PNP
TO126
塑料包装
TO- 126 （ SOT- 32 ）塑料包装
A
N
P
B
C
暗淡
A
B
C
D
E
民
7.4
10.5
2.4
0.7
0.49
最大
7.8
10.8
2.7
0.9
0.75
2.25 TYP 。
4.5 TYP 。
15.7 TYP 。
1.27 TYP 。
3.75 TYP 。
3.0
3.2
1
2
3
S
F
G
1
2
3
L
L
引脚配置
1.发射器
2.收集
3. BASE
M
N
P
D
F
G
M
E
2.5 TYP 。
S
尺寸：mm 。
TO- 126管包装
±0.50
532.00
±0.10
5.90 THRU （ 2 NOS ）
侧面标
+0
-1.00
390.00
±0.05
3.10 THRU （ 2 NOS ）
0.65
71.00
3.70
侧面标
A
R 0.50
12.00
弹药盒大小
±0.20
33.00
1.30
1.00
1.20
92.0
LABEL
5 38
.0 0
10.0
1.0
A
节AA
75.0
20管/弹药包
1000件/弹药包
3.0
3.5
1.2
3.0
印刷面积
±0.1
5.50
3.0
3CP 66382 ANTISTATICz
6.0 2
9.0
4
20.0
7.0
03
3 7.0 3.5 7.0
PVC
6.0
箭头
一般公差
0毫米0.01毫米30.01毫米120.01毫米以上
5 mm 30 mm
3.0
±0.1
±0.2
120 mm
±0.3
315 mm
±0.5
315 mm
±0.8
角
+0
-0.1
3.0
6.5
11.0
+0
-0.1
1.0
3.0
3.35
MATL ： - PVC黑色
防静电DIPPING
尾销（ 2 PCS /管）
1.0
± 0 “ 30"
DIN符号
尺寸：mm
注意事项：
1.在所有黑色打印。
2.在海尔维Medium字体的所有文本。
包装细节
包
详细
TO- 126散装
TO- 126管
标准包装
净重/
数量
SIZE
3" X 7.5" X 7.5"
3" X 3.7" X 21.5"
500个/
塑料袋340克/
500个
50个/
管
73克/个
50
内箱箱
数量
2K
1K
SIZE
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
19 QUOT ; ×19 ＆ QUOT ; ×19 ＆ QUOT ;
外箱BOX
数量
32K
10K
克重量
31公斤
15公斤
+0
-0.1
3.3
±0.10
11.95
+0.1
R2.5
-0
7.6
BD439/BD440/BD441/BD442
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
3.5
100
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
CBO
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止
电流（I
E
= 0)
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
为
BD439/440
为
BD441/442
为
BD439/440
为
BD441/442
V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安
为
DB439/440
为
BD441/442
I
B
= 0.2 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 1 V
V
CE
= 5 V
为
BD439/440
为
BD441/442
V
CE
= 1 V
为
BD439/440
为
BD441/442
V
CE
= 1 V
为
BD439/440
为
BD441/442
V
CE
= 1 V
V
CE
= 1 V
3
0.58
1.5
60
80
0.8
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
100
100
1
单位
A
A
A
A
mA
V
V
V
V
V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
CE （ SAT ）
V
BE
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
I
C
= 2 A
I
C
= 10毫安
I
C
= 2 A
I
C
= 10毫安
h
FE
直流电流增益
20
15
40
40
25
15
130
130
140
140
I
C
= 500毫安
I
C
= 2 A
h
FE1
/h
FE2
一对匹配
f
T
跃迁频率
I
C
= 500毫安
I
C
= 250毫安
1.4
兆赫
*脉冲：脉冲持续时间= 300毫秒，占空比1.5 ％
2/4
BD439/BD440/BD441/BD442
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
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2000意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
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4/4
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
电流增益 - 带宽积
(V
CE
= 1.0 V，I
C
= 250 mA时， F = 1.0兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 2.0 A，V
CE
= 1.0 V)
集电极饱和电压
(I
C
= 2.0 A，I
B
= 0.2 V)
(I
C
= 3.0 A，I
B
= 0.3 A)
直流电流增益
(I
C
= 2.0 A，V
CE
= 1.0 V)
直流电流增益
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 1.0 V)
直流电流增益
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 32 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 45 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 60 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 80 V，I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100
毫安，
I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
毫安，
I
B
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 0)
特征
BD435 ， BD437 ， BD439 ， BD441
BD435
BD437 ， BD439 ， BD441
http://onsemi.com
BD435
BD437
BD439 ， BD441
BD435
BD437
BD439
BD441
BD435
BD437
BD439
BD441
BD435
BD437
BD439
BD441
BD435
BD437
BD439
BD441
BD435
BD437
BD439
BD441
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
EBO
h
FE
h
FE
h
FE
f
T
民
3.0
5.0
50
40
25
15
85
85
40
40
30
20
15
32
45
60
80
32
45
60
80
典型值
最大
475
375
475
1.1
0.5
0.8
1.0
0.1
0.1
0.1
0.1
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
2
BD435 ， BD437 ， BD439 ， BD441
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
1.6
I
C
= 10 A
百毫安
1.0 A
3.0 A
1.2
0.8
T
J
= 25°C
0.4
0
0.05 0.070.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50 70 100
200 300
500
图1.集电极饱和区
的hFE电流增益（标准化）
,
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.01
0.02
0.03
0.05
0.2
0.3
0.5
0.1
I
C
，集电极电流（ AMP ）
1
2
3
5
BD433 ， 435 ， 437
BD439 ， 441
图2.电流增益
T
J
= 25°C
1.6
电压（伏）
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
10
4.0
T
J
= 150°C
1.0
0.5
dc
5毫秒
1.2
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
二次击穿
热限制牛逼
C
= 25°C
焊线LIMIT
曲线适用于低于额定V
首席执行官
BD437
BD439
BD441
0.6
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.005 0.01 0.02 0.030.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
0.1
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图3. “开”电压
图4.活动区安全工作区
http://onsemi.com
3
BD435 ， BD437 ， BD439 ， BD441
包装尺寸
TO225AA
CASE 77-09
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 077-01 THRU -08陈旧，新标准
07709.
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.065
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.65
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
B
U
Q
F
M
C
A
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
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