PD - 97458
汽车级
特点
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达
TJMAX
l
无铅，符合RoHS
l
汽车合格*
l
l
l
l
l
D
HEXFET
功率MOSFET
AUIRF1010Z
AUIRF1010ZS
AUIRF1010ZL
55V
7.5m
94A
75A
D
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D（硅有限公司）
G
S
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结温工作
TURE ，开关速度快，提高了重复
雪崩额定值。这些功能结合起来，使
这种设计的一个非常有效和可靠的设备
在汽车应用中使用，各种
的其他应用程序。
D
I
D（包装有限公司）
D
G
D
S
G
D
S
G
D
S
TO-220AB
AUIRF1010Z
D
2
PAK
AUIRF1010ZS
TO-262
AUIRF1010ZL
绝对最大额定值
G
门
D
漏
S
来源
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只;并且该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。热敏电阻和功率
耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有
指定的。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， VGS @ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
马克斯。
94
66
75
360
140
0.90
± 20
130
180
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
h
d
g
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到散热器，平板油脂润滑表面
结到环境
结到环境（印刷电路板安装）
i
300
10磅的（ 1.1N M）
y
y
k
参数
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
1.11
–––
62
40
单位
° C / W
i
i
j
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
02/19/2010
AUIRF1010Z/S/L
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
55
–––
–––
2.0
33
–––
–––
–––
–––
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.049
5.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
63
19
24
18
150
36
92
4.5
7.5
2840
420
250
1630
360
560
马克斯。
–––
–––
7.5
4.0
–––
20
250
200
-200
马克斯。
95
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
单位
V
V /°C的
m
V
S
A
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 75A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
e
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
单位
nC
条件
I
D
= 75A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V
V
DD
= 28V
I
D
= 75A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
铅之间，
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
e
e
ns
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至44V
pF
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
f
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
22
15
马克斯。
75
单位
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 75A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
360
1.3
33
23
V
ns
nC
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
重复评价;脉冲宽度有限的
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
从样品失效的人口决定了这个值，起动
T
J
= 25℃时，L = 0.05mH ，R
G
= 25, I
AS
= 75A ，V
GS
=10V.
这仅适用于TO- 220AB pakcage 。
这个被施加到D
2
白，装在1"方形PCB时（ FR-
4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹和焊接
技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.05mH ，
R
G
= 25, I
AS
= 75A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，使该
同样的充电时间为C
OSS
而V
DS
正在崛起
从0到80 ％的V
DSS
.
2
www.irf.com
AUIRF1010Z/S/L
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车
资格。 IR的工业和消费资格
级别授予扩展更高的汽车
的水平。
TO-220AB
不适用
不适用
MSL1
一流的M4
AEC-Q101-002
类H1C
AEC-Q101-001
带电器件模型
C3类
AEC-Q101-005
是的
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
TO-262
PAK
2
ESD
符合RoHS
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
AUIRF1010Z/S/L
5000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
4000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
20
ID = 75A
VDS = 44V
VDS = 28V
16
C，电容（pF ）
3000
西塞
12
2000
8
1000
4
科斯
CRSS
0
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100.0
1000
T J = 175℃
100
100sec
10
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
10msec
10.0
T J = 25°C
1.0
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
VGS = 0V
1.8
0.1
100
1000
VSD ，源toDrain电压（ V）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
5
