APTGT100DH170G
非对称 - 桥
沟道+场截止IGBT
电源模块
VBUS
Q1
G1
CR3
V
CES
= 1700V
I
C
= 100A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
开关磁阻电机驱动器
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
符合RoHS
E1
OUT1 OUT2
Q4
G4
CR2
E4
0/VBUS
OUT1
G1
E1
VBUS
0/VBUS
E4
G4
OUT2
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
反向偏置安全工作区
200A @ 1600V
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1-5
APTGT100DH170G - 版本1
2006年7月
最大额定值
1700
150
100
200
±20
560
单位
V
A
V
W
APTGT100DH170G
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
热和包装特点
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.22
0.39
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
3500
-40
-40
-40
3
2
SP6封装外形
（单位：mm ）
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
3-5
APTGT100DH170G - 版本1
2006年7月
APTGT100DH170G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
25
20
ZVS
V
CE
=900V
D=50%
R
G
=4.7
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
200
175
150
125
I
F
(A)
100
75
50
T
J
=125°C
T
J
=125°C
T
J
=25°C
15
10
5
0
0
20
40
60
80
I
C
(A)
ZCS
HARD
开关
25
0
100
120
140
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.4
热阻抗（ ℃/ W）
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.1
0.05
0
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.5
0.3
0.9
0.7
二极管
矩形脉冲持续时间（秒）
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
www.Microsemi.com
5-5
APTGT100DH170G - 版本1
2006年7月
