最终科幻
Am27C2048
2兆位（ 128千x 16位） CMOS EPROM
特色鲜明
s
快速访问时间
- 速度选择快55纳秒
s
低功耗
- 100 μA最大的CMOS待机电流
s
JEDEC批准的引脚排列
- 插件升级1兆比特的EPROM
- 40引脚DIP / PDIP
- 44引脚PLCC
s
采用+5 V单电源
s
±10%
电源公差标准
s
100 ％ Flashrite编程
- 16秒典型的编程时间
s
闩锁保护的100毫安-1 V至
V
CC
+ 1 V
s
丰富的功能，简单的接口
- CMOS和TTL输入/输出的兼容性
- 两线控制功能
s
高噪声抗扰度
概述
该Am27C2048是2兆，紫外线可擦除亲
可编程只读存储器。它是作为128千
也就是说，采用单+ 5V电源，具有静态
待机模式，并具有快速的单一地址某些地区可能
化编程。该Am27C2048非常适合使用
16位的微处理器系统。该器件可
在窗口陶瓷DIP封装和塑料1
一次性可编程（ OTP） PDIP和PLCC封装。
数据可以在小于55纳秒典型地访问， AL-
降脂高性能微处理器操作
没有任何等待状态。该器件提供独立的
输出使能（ OE ＃）和芯片使能（ CE ＃ ）控制，
从而消除了总线争用的多总线微
处理器系统。
AMD的CMOS工艺技术提供了高
速度快，低功耗和高抗噪性。典型
功耗仅为125毫瓦在主动模式下，
和100微瓦的待机模式。
所有的信号是TTL电平，包括编程显
良。位的位置可以单独编程，在
块，或者是随机的。该器件支持AMD的
Flashrite规划算法（ 100微秒脉冲） ，再
质保的义务在16秒的典型编程时间。
框图
V
CC
V
SS
V
PP
OE ＃
CE＃
PGM ＃
OUTPUT ENABLE
芯片使能
和
PROG逻辑
Y
解码器
A0–A16
地址
输入
产量
缓冲器
数据输出
DQ0–DQ15
Y
门
X
解码器
2,097,152
位单元
矩阵
11407G-1
出版＃
11407
启：
G
Amendment/0
发行日期：
1998年5月
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间（纳秒）
CE ＃ （E ＃ ）访问（ NS ）
OE ＃ （ G＃ ）访问（ NS ）
V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
-55
-55
55
55
40
-70
70
70
40
-90
90
90
40
-120
120
120
50
-150
150
150
65
-200
200
200
75
250
250
75
Am27C2048
-255
连接图
顶视图
DIP
V
PP
CE ＃ （E ＃ ）
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
V
SS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE ＃ （ G＃ ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
CC
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
V
SS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
PLCC
杜（注2 ）
PGM ＃ （P ＃ ）
CE （ E）
DQ13
DQ14
V
CC
A16
A15
6
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
V
SS
NC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
5
4
3
2
1 44 43 42 41 40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
A13
A12
A11
A10
A9
V
SS
NC
A8
A7
A6
A5
29
17
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
杜（注2 ）
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE ＃ （ G＃ ）
A0
A1
A2
A3
11407G-2
A4
11407G-3
注意事项：
1. JEDEC的命名是在括号中。
2.不要使用（ DU）的PLCC 。
PIN代号
A0–A16
CE ＃ （E ＃ ）
=地址输入
=芯片使能输入
逻辑符号
17
A0–A16
DQ0–DQ15
CE ＃ （E ＃ ）
16
DQ0 - DQ15 =数据输入/输出
OE ＃ （ G＃ ）
PGM ＃ （P ＃ ）
V
CC
V
PP
V
SS
=输出使能输入
=程序使能输入
= V
CC
电源电压
=编程电压输入
=地面
PMG （P ＃ ）
OE ＃ （ G＃ ）
11407G-4
2
Am27C2048
A14
V
PP
PGM ＃ （P ＃ ）
DQ15
订购信息
UV EPROM产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。的顺序号（有效组合）形成
通过下面的组合：
AM27C2048
-55
D
C
5
B
随机处理
空白=标准处理
B
=老化测试
电压容差
5 = V
CC
±
5 ％ ， 55只NS
见产品选型指南和有效组合
温度范围
C =商用（ 0 ° C至+ 70
°
C)
I =工业级（ -40
°
C至+ 85
°
C)
E =扩展（ -55 ° C至+ 125°C ）
套餐类型
D = 40引脚陶瓷DIP （ CDV040 ）
速度选项
见产品选型指南和
有效组合
设备号/说明
Am27C2048
2兆位（ 128千x 16位） CMOS UV EPROM
有效组合
AM27C2048-55
V
CC
= 5.0 V
±
5%
AM27C2048-55
V
CC
= 5.0 V
±
10%
AM27C2048-70
AM27C2048-90
AM27C2048-120
AM27C2048-150
AM27C2048-200
AM27C2048-255
V
CC
= 5.0 V
±
5%
DC ， DCB ， DI ， DIB
DC ， DCB ， DE ， DEB ， DI ， DIB
DC ， DCB ， DI ， DIB
DC5 ， DC5B ， DI5 ， DI5B
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
Am27C2048
3
订购信息
OTP EPROM产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。的顺序号（有效组合）形成
通过下面的组合：
AM27C2048
-55
J
C
5
随机处理
空白=标准处理
电压容差
5 = V
CC
±
5 ％ -55 NS只
见产品选型指南和
有效组合
温度范围
C =商业（ 0
°
C至+70
°
C)
I =工业级（ -40
°
C至+ 85
°
C)
套餐类型
P = 40引脚塑料DIP （ PD 040 ）
J = 44引脚方形塑料有引线芯片载体（ PL 044 ）
速度选项
见产品选型指南和
有效组合
设备号/说明
Am27C2048
2兆位（ 128千x 16位） CMOS OTP EPROM
有效组合
AM27C2048-55
V
CC
= 5.0 V
±
5%
AM27C2048-55
V
CC
= 5.0 V
±
10%
AM27C2048-70
AM27C2048-90
AM27C2048-120
AM27C2048-150
AM27C2048-200
AM27C2048-255
V
CC
= 5.0 V
±
5%
PC ， PI ， JC ， JI
PC5 ， PI5 ， JC5 ， JI5
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
4
Am27C2048
功能说明
设备擦除
为了明确自己的编程CON-的所有位置
帐篷，必须将设备暴露于紫外光
源。的15瓦秒/平方厘米的剂量
2
需要
彻底删除设备。这个剂量可以转播
通过暴露tained到紫外线灯波长
2537 - 12000微瓦/平方厘米的强度
2
为15 20的
分钟。该设备应在与有关直接
从源1英寸，并且所有的过滤器应该重新
从擦除前的UV光源移动。
请注意，所有的紫外线擦除设备将光擦除
源其波长小于4000埃，这样的
如日光灯和阳光。虽然删除
过程发生在一个更长的时间段，前
曝光至任何光源应当防止对
最大的系统可靠性。简单地覆盖包
窗用不透明的标签或物质。
该特定设备。一个高层次的CE ＃禁止输入
从其它设备进行编程。
程序校验
一个验证应在执行编程
位，以确定他们是正确编程。
验证应与OE ＃和CE ＃进行，在
V
IL
， PGM ＃在V
IH
和V
PP
12.5 V和13.0 V之间
自选模式
自选模式提供了制造商和脱离
通过DQ0-识别码识别副
DQ7 。这种模式的主要目的是用于编程
设备自动匹配的设备是亲
编程与其相应的编程algo-
rithm 。该模式的功能，在25℃
±
5°C
亲时所需的环境温度范围
编程器件。
以激活此模式中，编程设备
必须强制V
H
在地址线A9 。两个标志字节
然后可从该装置的输出通过瓶酒测序
从V岭大战地址线A0
IL
到V
IH
（也就是说，改变
从00h地址为01H ） 。所有其他地址线
必须在V举行
IL
中自动选择模式。
字节0 （ A0 = V
IL
）表示的制造商代码，
和字节1 （ A0 = V
IH
） ，该设备标识符的代码。两
代码有奇校验，以DQ7作为奇偶校验位。
器件编程
交货时，或之后的每个擦除，该设备具有
所有位的“一” ，或HIGH的状态。 “0”是
通过编程亲加载到设备
cedure 。
该器件进入编程模式时12.75
V
±
0.25 V施加于V
PP
销，和CE＃和
PGM ＃是在V
IL
.
对于编程，编程数据是AP-
合股16位并行数据引脚。
（在编程部分的流程图第5节，
图5-1 ）显示AMD的Flashrite算法。该
Flashrite算法通过减少编程时间
100 μs的编程脉冲，通过给每个地址
只有尽可能多脉冲，以可靠地进行编程的数据。后
每个脉冲被施加到一个给定的地址，在该数据
地址进行验证。如果数据不验证，附加
脉冲列，直到它验证或最大脉冲
允许达到。这个过程被重复，而SE-
quencing通过该装置的每一个地址。这部分
该算法是做在V
CC
= 6.25 V ，以确保
每个EPROM位编程为具有足够高的
阈值电压。最后的地址完成后，
整个EPROM存储在V验证
CC
= V
PP
=
5.25 V.
请参考第5节进行额外的编程IN-
形成和规格。
读取模式
要在设备的输出获得的数据，芯片使能（ CE ＃ ）
和输出使能（ OE ＃ ）必须被驱动为低电平。 CE＃ CON-
指令对电源装置和通常用于SE-
择设备。 OE＃可使设备输出数据，
独立的设备选择。地址必须是
稳定至少吨
加
–t
OE
。指的是交换
该时序图的波形部分。
待机模式
该器件进入CMOS待机模式时， CE＃
是V
CC
±
0.3 V最大V
CC
电流减小到
100 μA 。该器件进入TTL待机模式
当CE＃为V
IH
。最大V
CC
电流减小
1.0毫安。当在任一待机模式下，该设备
其放置在输出高阻抗状态， indepen-
凹陷的OE ＃输入。
输出或- Tieing
为了适应多种存储连接，一
两线控制功能提供了：
s
低内存功耗，
s
保证不会发生输出总线争用。
CE＃应该被解码，并作为主要的DE-
副选择功能，而OE ＃进行共同
连接到所有设备的阵列中，并且连接到
禁止程序
不同的数据编程到标准杆多台设备
等位基因是很容易实现的。除了CE＃ ，都喜欢IN-
设备的看跌期权可以是常见的。一个TTL低级别
编程脉冲应用到一台设备的CE ＃输入，
V
PP
= 12.75 V
±
0.25 V和PGM ＃过低都会计划
Am27C2048
5
