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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第646页 > AS7C1025A-20TJI
2001年1月
超前信息
AS7C1025A
AS7C31025A
5V / 3.3V 128K ×8 CMOS SRAM (革命引出线)
特点
AS7C1025A ( 5V版)
AS7C31025A ( 3.3V版本)
工业和商业温度
组织: 131,072 ×8位
高速
- 10/10/12/15/20 ns的地址,访问时间
- 3/3/4/5 ns输出使能访问时间
低功耗:ACTIVE
- 660毫瓦( AS7C1025A ) /最大@ 10纳秒( 5V )
- 324毫瓦( AS7C31025A ) /最大@ 10纳秒( 3.3V )
低功耗:待机
- 55毫瓦( AS7C1025A ) / MAX CMOS ( 5V )
- 36毫瓦( AS7C31025A ) / MAX CMOS ( 3.3V )
最新的6T 0.25U CMOS技术
2.0V数据保留
易内存扩展与CE, OE输入
中心的电源和地
TTL / LVTTL兼容,三态I / O
JEDEC标准封装
- 32引脚, 300万SOJ
- 32引脚, 400万SOJ
- 32引脚, TSOP II
ESD保护
2000伏
闩锁电流
200毫安
32引脚TSOP II
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
V
CC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
管脚配置
逻辑框图
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I/O7
行解码器
512×256×8
ARRAY
(1,048,576)
SENSE AMP
32引脚SOJ ( 300万)
32引脚SOJ ( 400万)
I/O0
WE
OE
CE
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
V
CC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
列解码器
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
控制
电路
选购指南
AS7C1025A-10
AS7C31025A-10
最大地址访问时间
最大输出使能访问
时间
最大
操作
当前
最大
CMOS待机
当前
AS7C1025A
AS7C31025A
AS7C1025A
AS7C31025A
10
3
120
90
10
10
AS7C1025A-12
AS7C31025A-12
12
3
110
80
10
10
AS7C1025A-15
AS7C31025A-15
15
4
100
80
10
10
AS7C1025A-20
AS7C31025A-20
20
5
100
80
15
15
单位
ns
ns
mA
mA
mA
mA
2/6/01; V.0.9
半导体联盟
AS7C1025A
AS7C31025A
AS7C1025A
AS7C31025A
8 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS7C1025A
AS7C31025A
功能说明
该AS7C1025A和AS7C31025A是高性能CMOS 1,048,576位静态随机存取存储器( SRAM)组织成设备
131072 ×8位。它们设计用于快速数据存取,低功耗,以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间(T
AA
, t
RC
, t
WC
)的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间(T
OE
的) 3/3/4/5 NS是理想的
高性能的应用程序。该芯片使能输入端CE允许轻松存储和扩展与多个银行的内存系统。
当CE为高电平时,器件进入待机模式。该标准AS7C1025A保证不超过55毫瓦的功耗
待机模式。这两款器件还提供2.0V数据保留。
写周期是由断言写使能( WE)完成,芯片使能( CE) 。输入引脚上的I / O0 -I / O7写入的上升数据
的WE (写周期1)或CE边缘(写周期2)。为了防止总线冲突,外部设备应该驱动I / O引脚输出一直后才
禁用
输出使能(
OE
)或写使能
(WE) 。
读周期是由断言输出使能( OE )来实现和芯片使能( CE ) ,以写使能( WE)高。芯片驱动I / O引脚
与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效,或写启动被激活,输出
司机留在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的,并且操作是从一个单一5V电源( AS7C1025A )或3.3V电源( AS7C31025A ) 。该
AS7C1025A和AS7C31025A被封装在通用的行业标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度(塑料)
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出(低电平)
设备
AS7C1025A
AS7C31025A
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
–0.50
–0.50
–0.50
–65
–55
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+ 0.5
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
V
W
o
o
C
C
mA
注:应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值仅为运行
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的值,我们不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机(我
SB
, I
SB1
)
禁止输出(I
CC
)
阅读(我
CC
)
写(我
CC
)
关键: X =无关,L =低,H =高
2/6/01; V.0.9
半导体联盟
8第2页
AS7C1025A
AS7C31025A
推荐工作条件
参数
电源电压
设备
AS7C1025A
AS7C31025A
AS7C1025A
输入电压
AS7C31025A
工作环境温度
V
IL
分钟。 = -3.0V脉冲宽度小于T
RC
/2.
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IH
V
金正日?
T
A
T
A
4.5
3.0
2.2
2.0
–0.5
0
–40
公称
5.0
3.3
最大
5.5
3.6
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
V
o
C
o
广告
产业
C
直流工作特性(在工作范围内)
1
-10
参数
输入
泄漏
当前
产量
泄漏
当前
操作
动力
供应
当前
待机
动力
供应
当前
1
产量
电压
数据
保留
当前
-12
-15
-20
符号
|
I
LI
|
测试条件
V
CC
=最大,V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大,CE = V
IH
, V
OUT
= GND
到V
CC
设备
最大
1
最大
1
最大最小最大单位
1
1
A
|
I
LO
|
AS7C1025A
2.4
1
120
90
30
30
10
10
.04
2.4
1
110
80
25
25
10
10
0.4
2.4
1
100
80
20
20
10
10
0.4
2.4
1
100
80
20
20
15
15
0.4
A
I
CC
CE = V
IL
,
f
=
f
最大,
I
OUT
= 0毫安
AS7C31025A
AS7C1025A
AS7C31025A
AS7C1025A
AS7C31025A
AS7C1025A
AS7C31025A
mA
I
SB
I
SB1
V
OL
V
OH
I
CCDR
CE = V
IH
, f = f
最大
, f
OUT
= 0
CE
V
CC
–0.2V, V
IN
0.2V或V
IN
V
CC
-0.2V , F = 0 ,女
OUT
= 0
I
OL
= 8毫安, V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安,V
CC
=分钟
V
CC
= 2.0V
CE
V
CC
– 0.2V
V
IN
V
CC
– 0.2V
or
V
IN
0.2V
mA
mA
V
V
mA
mA
AS7C1025A
AS7C31025A
1
1
1
1
1
1
5
5
电容(
F = 1 MHz时,T
a
= 25
o
C,V
CC
=额定
)
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A, CE, WE , OE
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
2/6/01; V.0.9
半导体联盟
8第3页
AS7C1025A
AS7C31025A
读周期(在整个工作范围内)
3,9
-10
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能( CE )访问时间
输出使能( OE )访问时间
从地址变更输出保持
CE
LOW吨
在低Z O输出
CE低到高Z输出
OE低到低Z输出
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
10
2
0
0
0
10
10
3
3
3
10
12
3
0
0
0
-12
12
12
3
3
3
12
15
3
0
0
0
-15
15
15
4
4
4
15
20
3
0
0
0
-20
最大
20
20
5
5
5
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
3
3
笔记
MIN MAX MIN
最大最小最大
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义/无所谓
读取波形1 (地址控制)
3,6,7,9
t
RC
地址
t
AA
D
OUT
数据有效
t
OH
读取波形2 ( CE和OE控制)
3,6,8,9
CE
t
OE
OE
D
OUT
供应
当前
t
PU
t
ACE
t
CLZ
50%
数据有效
t
PD
50%
I
CC
I
SB
t
OLZ
t
OHZ
t
CHZ
t
RC1
2/6/01; V.0.9
半导体联盟
8第4页
AS7C1025A
AS7C31025A
写周期(在整个工作范围内)
11
-10
参数
写周期时间
芯片使能( CE)写结束
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
从写结束地址保持
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
从输出的写端活跃
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
1
10
8
8
0
7
0
5
0
6
12
10
9
0
8
0
6
0
1
-12
最大
6
15
12
10
0
9
0
8
0
1
-15
最大
6
20
12
12
0
12
0
10
0
2
-20
最大
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
4, 5
4, 5
笔记
最大最小
写波形1 (我们控制)
10,11
t
WC
t
AW
地址
t
WP
WE
t
AS
D
IN
t
WZ
D
OUT
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
t
AH
写波形2 ( CE控制)
10,11
t
AW
地址
t
AS
CE
t
WP
WE
t
WZ
D
IN
D
OUT
t
DW
数据有效
t
DH
t
CW
t
WC
t
AH
2/6/01; V.0.9
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8第5页
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    -
    -
    -
    -
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    AS7C1025A-20TJI
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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联系人:陈小姐/陈先生
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