初步数据表
1.5A DDR终端稳压器
概述
在AP2301线性调节器的设计，以满足
JEDEC规范SSTL - 2和SSTL -18 termi-
国家DDR- SDRAM内存。该稳压器可吸收或
提供高达1.5A的连续电流，提供了足够的
目前大多数DDR应用。输出电压
设计为不到2 ％跟踪参考电压
公差负载调整率，同时防止拍摄
通过在输出级。片上热限制
为防止大电流的组合
租金和环境温度这将创建一个
过度的结温。
在AP2301 ，配合使用串联端接
灰电阻器，提供了极好的电压源，用于
高速传输的有源终端方案
作为行中看到的高速内存总线和
分布式的背板设计。
在AP2301是采用SOIC -8和TO- 252-5L
包。
AP2301
特点
·
·
·
·
·
同时支持DDR I （ 1.25V
TT
）和DDR II
(0.9V
TT
）要求
源和灌电流可达1.5A
高精度输出电压在满负荷
可调式V
OUT
通过外部电阻
关机待机或休眠模式
操作与高阻抗输出
应用
·
·
·
DDR -SDRAM终止
DDR -II终止
SSTL - 2终止
SOIC-8
TO-252-5L
AP2301图1.包装类型
2006年7月修订版1.3
1
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1.5A DDR终端稳压器
引脚配置
AP2301
男包
(SOIC-8)
V
IN
GND
REFEN
V
OUT
包
(TO-252-5L)
5
4
3
2
1
V
OUT
REFEN
V
CNTL
（ TAB ）
GND
V
IN
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CNTL
V
CNTL
V
CNTL
V
CNTL
图2. AP2301的引脚配置（顶视图）
引脚说明
引脚数
引脚名称
SOIC-8
1
2
3
4
5, 6, 7, 8
TO-252-5L
1
2
4
5
3
V
IN
GND
REFEN
V
OUT
V
CNTL
电源输入
地
参考电压输入和芯片使能
输出电压
电源电压为内部电路（内部连接的SOIC - 8 ） ，
（ TAB为TO- 252-5L ）
功能
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功能框图
V
CNTL
V
IN
AP2301
当前
极限
带隙
REFEN
启动
热
保护
产量
控制
V
OUT
GND
AP2301图3.功能框图
订购信息
AP2301
电路类型
包
M： SOIC - 8
D： TO- 252-5L
-
E1 ：无铅
空白：铅锡
TR ：磁带和卷轴
空白：管
包
温度
范围
产品型号
铅锡
AP2301M
无铅
AP2301M-E1
AP2301MTR-E1
AP2301D-E1
AP2301DTR-E1
标记ID
包装类型
铅锡
2301M
2301M
AP2301D
AP2301D
无铅
2301M-E1
2301M-E1
AP2301D-E1
AP2301D-E1
管
TAPE
＆
REEL
管
TAPE
＆
REEL
SOIC-8
0
125
o
C
AP2301MTR
AP2301D
TO-252-
5L
0-125
o
C
AP2301DTR
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
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1.5A DDR终端稳压器
绝对最大额定值（注1 ）
参数
电源电压为内部电路
功耗
ESD（人体模型）
结温
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
符号
V
CNTL
P
D
ESD
T
J
T
英镑
T
领导
θ
JA
SOIC-8
TO-252-5L
价值
7
内部限制
2
150
-65到150
260
160
o
AP2301
单位
V
W
KV
o
C
o
C
o
C
封装热阻（自由空气）
C / W
130
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只，设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压为内部电路
DDR I
电源输入
DDR II
结温
T
J
0
V
IN
1.6
1.8
125
o
C
符号
V
CNTL
（注2,3）
民
典型值
3.3
2.5
最大
6
V
CNTL
单位
V
V
注2 ：保持V
CNTL
≥
V
IN
在开机和关机顺序。
注3 ：对于安全运行，V
CNTL
必须连接到3.3V ，而不是5V 。
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