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Am29DL320G
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计,
S29JL032H (对于TSOP封装)和S29PL032J (为FBGA封装)取代AM29DL320G为
厂家推荐的迁移路径。请参阅用于规范每个相应的参数表
tions和订购信息。可用性此文件被保留,以供参考和历史
仅供参考。
2005年4月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称
最初开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。 appro-时会产生未来的例行修订
priate ,并更改将记录在修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
25769
调整
C
修订
+3
发行日期
2005年5月25日
这页有意留为空白。
Am29DL320G
32兆位( 4米×8位/ 2的M× 16位)
CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29JL032H (对于TSOP封装)和S29PL032J (为FBGA封装)取代
AM29DL320G作为工厂推荐的迁移路径。请参见各相应数据表的规格和订购信息。可用性这个文件是重新
tained仅作参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
灵活的银行
TM
架构
- 读取可能发生在任何三个银行不是
写或擦除。
- 四家银行可以通过客户进行分组,以实现
所需的银行部门。
256字节SecSi (安全硅)行业
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
一次性可编程的。一旦
锁定时,数据不能被改变。
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
封装选项
- 63球FBGA
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 64 - ball加固BGA
顶部或底部启动块
在0.17微米制程技术制造的
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
性能特点
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 4微秒/字典型的利用加速
功能
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
每个扇区保证至少1百万次写周期
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,以允许从读
在同一家银行其他部门
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护
状态
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
出版#
25769
启:
C
Amendment/3
发行日期:
2005年5月25日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29DL320G是32兆, 3.0伏,只闪光
存储设备,组织成16 2,097,152字
每一比特或4,194,304字节,每字节8位。字
模式数据显示在DQ15 - DQ0 ;字节模式数据
出现在DQ7 - DQ0 。该装置被设计成
在系统编程与标准3.0伏V
CC
供应,并且也可以在标准编程
EPROM编程器。
该设备是可用的以70 , 90时的访问时间,
或120纳秒。该器件采用48引脚TSOP提供,
48球或63球FBGA封装,和64球Forti-
田间BGA 。标准控制引脚芯片使能( CE # ) ,
写使能(WE # ) ,并且输出使能(OE #), - 控制
正常的读写操作,并避免总线CON-
张力问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
32兆位Am29DL32x设备有较大的SecSi
部门。
工厂锁定部分提供了几个选项。
该SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。
DMS (数据管理软件)
允许系统
删除EEPROM器件。通过简化系统
软件: DMS执行所有必要的功能
修改,而不是使用赎罪数据中的文件结构,
GLE -字节修改。编写或更新特定
一块数据(电话号码或配置数据,
例如)时,用户只需要规定哪一片
的数据是要被更新,并且其中所述更新后的数据
位于系统。这是一个优势的COM
相比于系统中用户编写的软件必须
跟踪的旧数据的位置,状态,顺理成章地
数据的物理转换到闪存
装置(或存储设备) ,等等。使用DMS ,
用户编写的软件不需要与接口
闪存直接。取而代之的是,用户的软件
通过调用只有六分之一的访问闪存
功能。 AMD提供了该软件,以简化系
统的设计和软件的整合工作。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分割成
四家银行,
2个4 Mb的银行和小
大部门,大部门的两个12 Mb的银行。
扇区地址是固定的,系统软件可
用于形成用户定义的组群。
在擦除/编程操作,任何三个
非繁忙的银行,可以读出。需要注意的是只有两
银行可以同时操作。该装置允许
主机系统编程或擦除在一家银行,然后
立即并同时从另一个读
银行,零延迟。这种释放系统从
等待完成编程或擦除
操作。
该Am29DL320G可以组织,可以是顶部或
底部引导扇区配置。
银行
银行1
2银行
3银行
4银行
4兆
12 MB
12 MB
4兆
扇区大小
8个8字节/ 4千字,
七64千字节/ 32 K字
24个64字节/ 32 K字
24个64字节/ 32 K字
8个64字节/ 32 K字
Am29DL320G特点
SecSi
TM
(安全硅)行业
是一个256字节
额外的部门能够被永久锁定
AMD或客户。该
SecSi标志位
( DQ7 )是
永久设置为1 ,如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
请注意,某些以前的AMD
2
Am29DL320G
目录
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
特殊包装处理说明.......................................... 6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
表1.设备总线操作............................................ ................. 9
扇区擦除命令序列.............................................. 26
擦除暂停/删除恢复命令................................ 27
图5.擦除操作............................................. ....................... 27
表13.命令定义............................................. .............. 28
DQ7 :数据#投票............................................. ......................... 29
图6.数据#投票算法........................................... .............. 29
字/字节配置.............................................. .................. 9
对于读阵列数据........................................... 9需求
写命令/命令序列.................................. 10
同时读/写操作
零延迟............................................... .......................... 10
待机模式................................................ .............................. 10
自动休眠模式............................................... .................. 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ......... 11
输出禁止模式............................................... .................... 11
表2.顶部引导扇区地址........................................... ........ 12
表3.顶部引导SecSi
TM
扇区地址..................................... 13
表4.底部引导扇区地址........................................... .... 14
表5.底部引导SecSi
TM
扇区地址................................ 15
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ........................ 30
DQ6 :切换位I ............................................. ............................. 30
图7.切换位算法............................................ .................. 30
DQ2 :触发位II ............................................. ............................ 31
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ........ 31
DQ5 :超过时序限制............................................. ......... 31
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................ 31
表14.写操作状态............................................ ............. 32
图8.最大负过冲波形............................. 33
图9.最大正过冲波形.............................. 33
图10.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ...................... 35
图11.典型I
CC1
与频率............................................... .... 35
图12.测试设置............................................. ............................. 36
图13.输入波形和测量水平........................ 36
图14.读操作时序............................................ .......... 37
图15.复位时序............................................. ......................... 38
自选模式................................................ .......................... 16
表6.自动选择码, (高压法) ............................. 16
部门/部门块保护和unprotection的........................ 17
表7.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ..................... 17
表8.底部引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ..................... 17
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... ..... 39
图16. BYTE #时序进行读操作.................................. 39
图17. BYTE #时序写操作.................................. 39
写保护( WP # ) ............................................ ......................... 18
临时机构撤消............................................... ......... 18
图1.临时机构撤消操作................................. 18
图2.在系统扇区保护/
部门unprotection的算法............................................... ............. 19
擦除和编程操作.............................................. ..... 40
图18.程序操作时序............................................ ....
图19.加速程序时序图................................
图20.芯片/扇区擦除操作时序.................................
图21.返回到后端的读/写周期时序.............................
图22.数据#投票计时(在嵌入式算法) .......
图23.触发位计时(在嵌入式算法) ............
图24. DQ2与DQ6 ........................................... ............................
41
41
42
43
43
44
44
SecSi
TM
(安全硅)行业
闪存地区............................................... ................... 20
图3. SecSi部门保护验证........................................... ......... 21
硬件数据保护............................................... ............. 21
临时机构撤消............................................... ......... 45
图25.临时机构撤消时序图..................... 45
图26.行业/部门块保护和撤消时序图46
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 21
表9. CFI查询标识字符串........................................... .....
表10.系统接口字符串............................................ .............
表11.设备几何定义............................................ ......
表12.主要供应商特定的扩展查询............................
22
22
23
23
备用CE #控制的擦除和编程操作........... 47
图27.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ ................................ 48
读阵列数据............................................... ....................... 24
复位命令................................................ .......................... 24
自选命令序列............................................... ... 24
进入SecSi
TM
行业/退出SecSi部门
命令序列................................................ ................... 25
字节/字编程命令序列................................... 25
图4.程序运行............................................. ................... 26
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
FBD063-63球细间距球栅阵列( FBGA ) 8 ×14毫米。 50
FBD048细间距球栅阵列, 6× 12毫米......................... 51
TS 048 -薄型小尺寸封装.......................................... 52
芯片擦除命令序列.............................................. ... 26
Am29DL320G
3
Am29DL320G
数据表
) RU QHZ GHVLJQV LQYROYLQJ 7623 SDFNDJHV ? 6 ?? - ? / ? + VXSHUFHGHV $ P ?? “ / ??? * DQG LV WKH IDFWRU \\ UHFRPPHQGHG
PLJUDWLRQ噿? 3OHDVH UHIHU WR WKH 6 ?? - / ? + ' DWDVKHHW IRU VSHFLILFDWLRQV DQG RUGHULQJ LQIRUPDWLRQ ?
) RU QHZ GHVLJQV LQYROYLQJ ) LQH ? SLWFK % * $ ? ) % * $

SDFNDJHV ? 6 ?? 3 / ??? - VXSHUFHGHV $ P ?? “ / ??? * DQG LV WKH

IDFWRU \\ ? UHFRPPHQGHG PLJUDWLRQ噿? 3OHDVH UHIHU WR WKH 6 ?? 3 / ??? - “ DWDVKHHW IRU VSHFLILFDWLRQV DQG RUGHULQJ
LQIRUPDWLRQ ?
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ?
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ) XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P' DQG 0 % 0' ? 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ? SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ?
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
公开号
25769
调整
C
修订2发行日期
2004年9月24日
这页有意留为空白。
对于涉及TSOP封装的新设计, S29JL032H取代Am29DL320G ,是工厂recom-
谁料迁移路径。请参阅S29JL032H数据的规格和订购信息。
对于涉及精细间距BGA ( FBGA )封装的新设计, S29PL032J取代Am29DL320G是
厂家推荐的迁移路径。请参阅S29PL032J数据表的规格和
订购信息。
Am29DL320G
32兆位( 4米×8位/ 2的M× 16位)
CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
灵活的银行
TM
架构
- 读取可能发生在任何三个银行不是
写或擦除。
- 四家银行可以通过客户进行分组,以实现
所需的银行部门。
256字节SecSi (安全硅)行业
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
一次性可编程的。一旦
锁定时,数据不能被改变。
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
封装选项
- 63球FBGA
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 64 - ball加固BGA
顶部或底部启动块
在0.17微米制程技术制造的
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
性能特点
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 4微秒/字典型的利用加速
功能
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
每个扇区保证至少1百万次写周期
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,以允许从读
在同一家银行其他部门
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护
状态
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
出版#
25769
启:
C
修订/
2
发行日期:
2004年9月27日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29DL320G是32兆, 3.0伏,只闪光
存储设备,组织成16 2,097,152字
每一比特或4,194,304字节,每字节8位。字
模式数据显示在DQ15 - DQ0 ;字节模式数据
出现在DQ7 - DQ0 。该装置被设计成
在系统编程与标准3.0伏V
CC
供应,并且也可以在标准编程
EPROM编程器。
该设备是可用的以70 , 90时的访问时间,
或120纳秒。该器件采用48引脚TSOP提供,
48球或63球FBGA封装,和64球Forti-
田间BGA 。标准控制引脚芯片使能( CE # ) ,
写使能(WE # ) ,并且输出使能(OE #), - 控制
正常的读写操作,并避免总线CON-
张力问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
32兆位Am29DL32x设备有较大的SecSi
部门。
工厂锁定部分提供了几个选项。
该SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。
DMS (数据管理软件)
允许系统
删除EEPROM器件。通过简化系统
软件: DMS执行所有必要的功能
修改,而不是使用赎罪数据中的文件结构,
GLE -字节修改。编写或更新特定
一块数据(电话号码或配置数据,
例如)时,用户只需要规定哪一片
的数据是要被更新,并且其中所述更新后的数据
位于系统。这是一个优势的COM
相比于系统中用户编写的软件必须
跟踪的旧数据的位置,状态,顺理成章地
数据的物理转换到闪存
装置(或存储设备) ,等等。使用DMS ,
用户编写的软件不需要与接口
闪存直接。取而代之的是,用户的软件
通过调用只有六分之一的访问闪存
功能。 AMD提供了该软件,以简化系
统的设计和软件的整合工作。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分割成
四家银行,
2个4 Mb的银行和小
大部门,大部门的两个12 Mb的银行。
扇区地址是固定的,系统软件可
用于形成用户定义的组群。
在擦除/编程操作,任何三个
非繁忙的银行,可以读出。需要注意的是只有两
银行可以同时操作。该装置允许
主机系统编程或擦除在一家银行,然后
立即并同时从另一个读
银行,零延迟。这种释放系统从
等待完成编程或擦除
操作。
该Am29DL320G可以组织,可以是顶部或
底部引导扇区配置。
银行
银行1
2银行
3银行
4银行
4兆
12 MB
12 MB
4兆
扇区大小
8个8字节/ 4千字,
七64千字节/ 32 K字
24个64字节/ 32 K字
24个64字节/ 32 K字
8个64字节/ 32 K字
Am29DL320G特点
SecSi
TM
(安全硅)行业
是一个256字节
额外的部门能够被永久锁定
AMD或客户。该
SecSi标志位
( DQ7 )是
永久设置为1 ,如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
请注意,某些以前的AMD
2
Am29DL320G
2004年9月27日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
特殊包装处理说明.......................................... 7
字节/字编程命令序列................................... 26
解锁绕道命令序列........................................... 26
图4.程序运行............................................. ................... 27
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作............................................ ............... 10
芯片擦除命令序列.............................................. ... 27
扇区擦除命令序列.............................................. 27
擦除暂停/删除恢复命令................................ 28
图5.擦除操作............................................. ....................... 28
表13.命令定义............................................. .............. 29
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ7 :数据#投票............................................. ......................... 30
图6.数据#投票算法........................................... .............. 30
字/字节配置.............................................. ................ 10
对于读阵列数据要求......................................... 10
写命令/命令序列.................................. 11
加快程序运行............................................... .... 11
自选功能................................................ .................... 11
同时读/写操作
零延迟............................................... .......................... 11
待机模式................................................ .............................. 11
自动休眠模式............................................... .................. 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ......... 12
输出禁止模式............................................... .................... 12
表2.顶部引导扇区地址........................................... ........ 13
表3.顶部引导SecSi
TM
扇区地址..................................... 14
表4.底部引导扇区地址........................................... .... 15
表5.底部引导SecSi
TM
扇区地址................................ 16
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ........................ 31
DQ6 :切换位I ............................................. ............................. 31
图7.切换位算法............................................ .................. 31
DQ2 :触发位II ............................................. ............................ 32
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ........ 32
DQ5 :超过时序限制............................................. ......... 32
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................ 32
表14.写操作状态............................................ ............. 33
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图8.最大负过冲波形............................. 34
图9.最大正过冲波形.............................. 34
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图10.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ...................... 36
图11.典型I
CC1
与频率............................................... .... 36
自选模式................................................ .......................... 17
表6.自动选择码, (高压法) ............................. 17
部门/部门块保护和unprotection的........................ 18
表7.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ..................... 18
表8.底部引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ..................... 18
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图12.测试设置............................................. ............................. 37
图13.输入波形和测量水平........................ 37
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图14.读操作时序............................................ .......... 38
图15.复位时序............................................. ......................... 39
写保护( WP # ) ............................................ ......................... 19
临时机构撤消............................................... ......... 19
图1.临时机构撤消操作................................. 19
图2.在系统扇区保护/
部门unprotection的算法............................................... ............. 20
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... ..... 40
图16. BYTE #时序进行读操作.................................. 40
图17. BYTE #时序写操作.................................. 40
擦除和编程操作.............................................. ..... 41
图18.程序操作时序............................................ ....
图19.加速程序时序图................................
图20.芯片/扇区擦除操作时序.................................
图21.返回到后端的读/写周期时序.............................
图22.数据#投票计时(在嵌入式算法) .......
图23.触发位计时(在嵌入式算法) ............
图24. DQ2与DQ6 ........................................... ............................
42
42
43
44
44
45
45
SecSi
TM
(安全硅)行业
闪存地区............................................... ................... 21
工厂锁定: SecSi部门编程并保护在
工厂................................................. ........................................ 21
客户可锁定: SecSi部门没有编写或受到保护
工厂................................................ ................................... 21
图3. SecSi部门保护验证........................................... ......... 22
临时机构撤消............................................... ......... 46
图25.临时机构撤消时序图..................... 46
图26.行业/部门块保护和撤消时序图47
硬件数据保护............................................... ............. 22
低VCC写禁止.............................................. .................... 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ ......... 22
逻辑禁止................................................ ............................... 22
上电写禁止............................................. .................... 22
备用CE #控制的擦除和编程操作........... 48
图27.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ ................................ 49
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 22
表9. CFI查询标识字符串........................................... .....
表10.系统接口字符串............................................ .............
表11.设备几何定义............................................ ......
表12.主要供应商特定的扩展查询............................
23
23
24
24
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
50
50
50
50
51
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读阵列数据............................................... ....................... 25
复位命令................................................ .......................... 25
自选命令序列............................................... ... 25
进入SecSi
TM
行业/退出SecSi部门
命令序列................................................ ................... 26
FBD063-63球细间距球栅阵列( FBGA ) 8 ×14毫米。 51
FBD048细间距球栅阵列, 6× 12毫米......................... 52
TS 048 -薄型小尺寸封装.......................................... 53
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
2004年9月27日
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