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倒装芯片

发布时间:2014/5/29 20:08:53 访问次数:998

   倒装芯片FC (Flip Chip)与晶圆级CSP (WL-CSP)WLP  (Wafer Level Processing)的组装技术

   倒装芯片FC、晶圆级CSP、S500-2.5-R晶圆级封装WLP主要应用在新一代手机、DVD、PDA、模块等。

   倒装芯片FC

   倒装芯片定义为可能不进行再分布的晶圆。通常,锡球小于150ym,球间距小于350ym。

   倒装芯片的特点

   图21-19(a)足传统正装器件,芯片电气面朝上;图21-19 (b)是倒装芯片,电气面朝下。

      

   另外,FC在圆片上植球,贴片时需要将其翻转,而被称为倒装芯片。FC具有以下特点。

   ①基材是硅,电气面及焊凸在器件下表面。

   ②最小的体积。FC的球间距一般为4~14mil、球径2.5~8mil,使组装的体积最小。

   ③最低的高度。FC组装将芯片用再流或热压方式直接组装在基板或印制电路板上。

   ④更高的组装密度。FC技术可以将芯片组装在PCB的两个面上,大大提高组装密度。

   ⑤更低的组装噪声。由于FC组装将芯片直接组装在基板上,噪声低于BGA和SMD。

   ⑥不可返修性。FC组装后需要做底部填充。FC的焊凸材料与基板的连接方式见表21-5。

   表21-5倒装芯片的焊凸材料与基板的连接方式

        

 

   倒装芯片FC (Flip Chip)与晶圆级CSP (WL-CSP)WLP  (Wafer Level Processing)的组装技术

   倒装芯片FC、晶圆级CSP、S500-2.5-R晶圆级封装WLP主要应用在新一代手机、DVD、PDA、模块等。

   倒装芯片FC

   倒装芯片定义为可能不进行再分布的晶圆。通常,锡球小于150ym,球间距小于350ym。

   倒装芯片的特点

   图21-19(a)足传统正装器件,芯片电气面朝上;图21-19 (b)是倒装芯片,电气面朝下。

      

   另外,FC在圆片上植球,贴片时需要将其翻转,而被称为倒装芯片。FC具有以下特点。

   ①基材是硅,电气面及焊凸在器件下表面。

   ②最小的体积。FC的球间距一般为4~14mil、球径2.5~8mil,使组装的体积最小。

   ③最低的高度。FC组装将芯片用再流或热压方式直接组装在基板或印制电路板上。

   ④更高的组装密度。FC技术可以将芯片组装在PCB的两个面上,大大提高组装密度。

   ⑤更低的组装噪声。由于FC组装将芯片直接组装在基板上,噪声低于BGA和SMD。

   ⑥不可返修性。FC组装后需要做底部填充。FC的焊凸材料与基板的连接方式见表21-5。

   表21-5倒装芯片的焊凸材料与基板的连接方式

        

 

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