如果说PN结是半导体器DS1VE-S-24V件最重要的结构，那么晶体三极管(Transistor)无疑是半导体器件中最杰出的代表。晶体三极管也称三极管或者晶体管，是双极型晶体管( Bipolar Junction Transistor，BJT)的简称，是常用的半导体器件之一，其主要特性是对电信号进行放大或组成开关电路，是电子电路的核心组件。
    三极管基础知识
    晶体三极管最常见的有两大类，即NPN型和PNP型。一般硅材料管多为NPN型，锗材料多为PNP型。三极管的结构与电路图形符号如图5-1所示。

           
     以NPN型三极管为例，它是在一块衬底上面从左至右依次做成N型、P型和N型半导体。其中左边的N型半导体区域采用重掺杂工艺，使得该N区的自由电子浓度很高，称为发射区。从发射区引出一个金属电极，称为发射极e (Emitter)。中间的P型半导体区域采用轻掺杂工艺，而且该区域做得很薄，称为基区。从基区引出一个金属电极，称为基极b (Base)。右边的N型芈导体区域在制作时使得该区域面积很大，与发射区的结构明显不同，称为集电区。从集电区引出一个金属电极，称为集电极c (Collector)。
    这样，在不同类型半导体的交接面，就形成了两个PN结。在基区与发射区之间的PN结，称为发射结，用字母Je表示；在基区与集电区之间的PN结，称为集电结，用字母Jc表示。整个三极管看起来就好像两个背对背串联的PN结，但是由于其内部具有三个结构迥异的杂质半导体区域，对外呈现三个不同的电极。
    NPN型和PNP型三极管的电路符号基本相同，区别在于发射极箭头的方向不同。NPN型三极管的发射极箭头向外，PNP型三极管的发射极箭头向里，箭头方向除了表示三极管的不同型号以外，还表示了当发射结正偏时，三极管发射极的实际电流方向。