线边绕制符合RoHS器件阻值从0.053Ω到5.44Ω公差为±10%
发布时间:2023/9/16 17:34:48 访问次数:259
90纳米嵌入式非易失性存储器CMOS制造工艺,STM32F7系列证明正在履行“加快创新,加快上市”承诺。
随着更先进的技术节点，先进的面向未来的系统架构有更大的空间提高微控制器的性能。目前STM32F756NG高性能微控制器的样片仅提供给主要客户。
STM32F7虽然性能提高了，但是能效并没有影响。尽管功能更多，新系列运行模式和低功耗模式（停止、待机和VBAT）的功耗与STM32F4保在同一水平线上：工作模式能效为7CoreMarks/mW；
在低功耗模式下，当上下文和SRAM内容全都保存时，典型功耗最低120μA；典型待机功耗为1.7μA；VBAT模式典型功耗为0.1μA。
这些线边绕制、符合RoHS的器件的阻值从0.053Ω到5.44Ω，公差为±10%。
今天推出的工业用功率电阻可根据需要进行定制，能够安装在Vishay Milwaukee提供的支架上或符合防护等级要求的外壳里。器件还有通用安装的版本，即EDGU。
高效率的自然对流冷却型400W AC-DC电源产品CCL400系列。该产品无需强制风冷，效率高达94%。由于该产品效率高，产生的热损耗少，CCL400系列的产品元器件可以在较低的温度环境中运行，从而提升产品的可靠性，延长产品使用寿命。
自带的5VDC/0.5A辅助电源可以满足其他逻辑电路的要求。
CCL400系列主要适用于如生命维持，影像和血液处理设备等医疗设备。该产品未使用风扇，更适用于有低噪音规定的医疗设备。该产品也可广泛应用于需要通过自然对流冷却或传导冷却达到高功率密度的工业和信息技术领域。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
90纳米嵌入式非易失性存储器CMOS制造工艺,STM32F7系列证明正在履行“加快创新,加快上市”承诺。
随着更先进的技术节点，先进的面向未来的系统架构有更大的空间提高微控制器的性能。目前STM32F756NG高性能微控制器的样片仅提供给主要客户。
STM32F7虽然性能提高了，但是能效并没有影响。尽管功能更多，新系列运行模式和低功耗模式（停止、待机和VBAT）的功耗与STM32F4保在同一水平线上：工作模式能效为7CoreMarks/mW；
在低功耗模式下，当上下文和SRAM内容全都保存时，典型功耗最低120μA；典型待机功耗为1.7μA；VBAT模式典型功耗为0.1μA。
这些线边绕制、符合RoHS的器件的阻值从0.053Ω到5.44Ω，公差为±10%。
今天推出的工业用功率电阻可根据需要进行定制，能够安装在Vishay Milwaukee提供的支架上或符合防护等级要求的外壳里。器件还有通用安装的版本，即EDGU。
高效率的自然对流冷却型400W AC-DC电源产品CCL400系列。该产品无需强制风冷，效率高达94%。由于该产品效率高，产生的热损耗少，CCL400系列的产品元器件可以在较低的温度环境中运行，从而提升产品的可靠性，延长产品使用寿命。
自带的5VDC/0.5A辅助电源可以满足其他逻辑电路的要求。
CCL400系列主要适用于如生命维持，影像和血液处理设备等医疗设备。该产品未使用风扇，更适用于有低噪音规定的医疗设备。该产品也可广泛应用于需要通过自然对流冷却或传导冷却达到高功率密度的工业和信息技术领域。
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