MOSFET原理(以N沟增强型为例)

   由图5-18可以看出,MOsFET衬底材料为P型硅,源区和漏区均为N+区,在栅极电压为零时,由于氧化层中正电荷的作用使半导体表面耗尽但未形成导电沟道,当在栅极加上正电压时,表面有耗尽层变为反型层,当/Gf/T(阈值电压)表面发生强反型,即形成N型沟道,则此时加在栅极上的电压/T即为MOs管的开启电压,在此时如果在漏源之间加正电压,电子能够从源极流向漏极,形成漏极向源极的电流。ECCT3F470JG

   MOsFET的源区和漏区在结构上是对称的,工作中的器件的源极和漏极由外加电压极性确定。但是一些分立器件和集成电路中的部分晶体管在图形设计时常常将源极和衬底连接在一起,这类器件的源极和漏极是固定的。

   功率MOSFET

   功率场效应管(Powcr MOSFET)是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小、开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达5OOkHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。

   功率场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同,但结构有很大区别。小功率绝缘栅MOs管是一次扩散形成的器件,导电沟道平行于芯片表面,横向导电。电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构,提高了器件的耐电压和耐电流的能力。按垂直导电结构的不同,又可分为2种:Ⅴ形槽VVMOs和双扩散VDMOS。功率场效应管采用多单元集成结构,一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图,如图5-19(a)所示。电气符号如图5-19(b)所示。