与MOS器件不同, M24C04-RMN6TP对于大多数双极晶体管及双极器件而言,不同的剂量率辐照结果不是TDE效应,而是一种低剂量辐照损伤增强效应(Enhanccd Low Dosc Ratc sensitivity,ELDRS)。ELDRS效应的表现形式为低剂量率辐射损伤比高剂量率辐射损伤更为显著,而且这种损伤并不能通过与低剂量率辐照等时间相同的环境温度下退火加以消除(若能加以消除,则为TDE效应)。

   大部分双极器件和线性集成电路都具备明显的ELDRs效应。

因此,低剂量率空间辐射环境给半导体元器件抗辐射能力实验室测试评估方法带来了巨大的挑战。若采用实际的空间低剂量率对半导体器件的抗空间辐射能力进行评估,那么所花费的费用、时间将是巨大的,而且由于国内实验源的能力的限制,无法进行大批量的试验;若采用高剂量率(50~300rad(Si)人)进行试验,一方面由于ELDRs效应的存在,无法模拟双极器件的低剂量率辐照损伤;另一方面,虽然对于MOS器件高剂量率辐照加长时问(与低剂量率辐照等时)的室温退火可以模拟低剂量率辐照损伤,但是其退火时间还是太长,耗费的人力物力还是太大。因此,需要一种加速评估方法来快速评估器件的低剂量率辐射损伤。

   目前,对于MOS器件的低剂量率辐射损伤的加速评估方法如下:高剂量率辐照一过辐照一高温退火。国内对存储器的加速试验方法的研究表明,这种加速评估方法是严格考核存储器空间低剂量率辐射环境下TID效应的必要试验步骤。对于双极器件,目前几种主要的加速评估方法如下:①高温高剂量率辐照法;②常温变剂量率辐照法;③变温辐照法;④氢气浸泡辐照法等。