LAN8700C-AEZG

   当发射结雪崩击穿后，热载流子从势垒区电场获得足够能量，轰击Si-Si02-界面，使有效复合中心密度即Q．。增加，这在浅结、重掺杂发射区的双极高频晶体管中尤为突出，它导致FE及输出功率下降。

   界面态是一种表面复合中心，其产生率或复合率有一定涨落，这种涨落调制了基区表面少子产生或复合速度，从而产生了叠加在基极和集电极电流上的噪声电流，该电流的方均值与l/f成正比，所以称l/f噪声。对硅材料选用的晶格方向是100，Q最小。 氧化层生长后进行适当高温退火处理，以降低Qf及Qit 在低频低噪声工艺中，适当腐蚀发射区表面，降低基区表面掺杂浓度，以及采用减 少应变或热感生缺陷的工艺，可降低Qi。，从而降低低频(l/f)噪声。

    对半导体表面进行等离子体刻蚀处理，降低界面态。MOS结构的MS界面态的影响MESFET器件和MOS肖特基器件的核心是金属一半导体接触，由于半导体制备过程及金属化过程的影响，在金属和半导体接触的界面会引入一层绝缘层，其厚度与工艺有关，从而形成了MOS结构的金一半接触，同时会引入界面态电荷，其对MESFET器件的夹断电压VP的影响.

   对Qm，在生产工艺中，可采取各种防Na+沾污的措施，如保证容器（改用石英制）、工具和氧化炉管的清洁，热氧化的气氛中加有适量HC1或氯气，对氧化层表面加一层磷硅玻璃钝化层，以固定残存Na+并防止外界侵入的二次沾污，目前工艺已可使氧化层中Q。的含量在1×1010个／CITl2以下，即目前好的C-V测试仪温度一偏压试验测不出可动电荷密度。

   Vei是自建电势，w是空间电荷区宽度，为表面态的电中性能极，EF。为表面态的 费米能级，其他参数是常见量。

  由于界面态对器件夹断电压的影响，从而影响器件的I-V和C-V特性，引起器件参数 的漂移等可靠性问题。