芯片依工艺要求,需有一定之厚度。应用研磨的方法,达到减薄的目标。研磨的第一步KA348为粗磨,目的为减薄芯片厚度到目标值(一般研磨后的厚度为250~300um,随着芯片应用及封装方式的不同会不一样)。第二步为细磨,目的为消减芯片粗磨中生成的应力破坏层(一般厚度为l~2um左右)。研磨时需有洁净水(纯水)冲洗,以便带走研磨时产生的硅粉。若有硅粉残留,容易造成芯片研磨时的破片或产生微裂纹,在后序的I艺中造成芯片破碎的良品率问题及质量问题。同时需要注意研磨轮及研磨平台的平整度,可能会增加芯片破片的机率(因为平整度不好会造成芯片破片)。研磨机内部示意图。

    减薄之后.要在芯片背面贴上配合划片使用的蓝膜.才可开始划片:蓝膜需要装在固定的金属框架上为了增强膜对芯片的黏度.有时贴膜后须要加热烘焙。

   芯片依照单颗大小、需要种类等,要在蓝膜上切割成颗粒状,以便于单个取出分开。划片时需控制移动划片刀的速度及划片刀的转速。不同芯片的厚度及蓝膜的黏性都需要有不同的配合的划片参数,以减少划片时在芯片上产牛的崩碎现象。划片时需要用洁净水冲洗,以便移除硅渣。切割中残留的硅渣会破坏划片刀具及芯片,造成良品率损失。喷水的角度及水量,都需要控制。

    一般切割刀片可以达到最小的切割宽度为40um左右。若用雷射光取代切割刀片可将切割宽度减小到20um。所以使用窄小的切割道的特殊芯片必须用雷射光切割。对于厚芯片或堆叠多层芯片的切割方式,也建议使用雷射光切割。因为用一般切割刀片切割,在使用特别的刀片下,勉强可以切割∷层堆叠的芯片:昕以雷射光切割比较好c刀片划片丁作时的照片。