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近耦合喷淋反应室

发布时间:2018/6/30 22:12:32 访问次数:815


   近耦合喷淋反应室(C1ose Coup1ed showe血ead,CCs):图⒈9为德国爱思强(AIXTRON)公司(原英国剑桥的Thomas swan公司,后被AIXTRON公司收购)的立式近耦合喷淋反应室示意图。其特点是进气系统为双层结构的喷淋头:RA13H1317M一层通Mo源,另一层通Ⅴ族源。

   在喷淋头最靠近托盘的地方有一层水道,通恒温水对喷淋头进行温度调节。通过喷淋头密集而又细小的喷孔,Mo源和Ⅴ族源分别被喷向反应腔内相距不远(约10~20mm[l")的托盘,在衬底上进行外延生长。该反应腔技术特点为:(1)距离小,一方面有利于抑制基

座上方的涡流形成,但另一方面会使喷淋头表面受热辐射而产生高温沉积;(2)喷淋头喷孔细小密集(喷孔内径0.6mm,密度达到15.5个/cm2),使分别从两组相间的喷孔注入的Ⅲ族源和Ⅴ族源,在经过短距离到达衬底前也能充分混合,保障了反应气体浓度基本相同,

并均匀分配到外延上方,从而得到均匀的外延层;(3)托盘采用三组电阻加热;基座中速旋转,旋转速率通常为50~⒛0rpm。由于喷口与热托盘之间的距离近,反应过程中容易在喷淋头表面形成沉积物,使得有杂质残留并使温场漂移,需要每长一炉后打开反应腔进行清理去除残留,降低了设备使用效率。



   近耦合喷淋反应室(C1ose Coup1ed showe血ead,CCs):图⒈9为德国爱思强(AIXTRON)公司(原英国剑桥的Thomas swan公司,后被AIXTRON公司收购)的立式近耦合喷淋反应室示意图。其特点是进气系统为双层结构的喷淋头:RA13H1317M一层通Mo源,另一层通Ⅴ族源。

   在喷淋头最靠近托盘的地方有一层水道,通恒温水对喷淋头进行温度调节。通过喷淋头密集而又细小的喷孔,Mo源和Ⅴ族源分别被喷向反应腔内相距不远(约10~20mm[l")的托盘,在衬底上进行外延生长。该反应腔技术特点为:(1)距离小,一方面有利于抑制基

座上方的涡流形成,但另一方面会使喷淋头表面受热辐射而产生高温沉积;(2)喷淋头喷孔细小密集(喷孔内径0.6mm,密度达到15.5个/cm2),使分别从两组相间的喷孔注入的Ⅲ族源和Ⅴ族源,在经过短距离到达衬底前也能充分混合,保障了反应气体浓度基本相同,

并均匀分配到外延上方,从而得到均匀的外延层;(3)托盘采用三组电阻加热;基座中速旋转,旋转速率通常为50~⒛0rpm。由于喷口与热托盘之间的距离近,反应过程中容易在喷淋头表面形成沉积物,使得有杂质残留并使温场漂移,需要每长一炉后打开反应腔进行清理去除残留,降低了设备使用效率。


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