纳米探针技术
发布时间:2017/11/15 20:13:10 访问次数:3228
随着半导体制程的不断发展,越来越多造成器件失效的原因已经不再是外来的杂质微粒或可见制程缺陷,而是那些不容易被发现的微弱的内在缺陷。 TL5001CDR如栅氧化层的击穿、衬底缺陷、离子注人计量些微或统计意义⒈的波动等。传统失效分析方法,如芯片级失效位加破坏性的逐层剥离、B电爪的衬度定位,SEM观察、「IB定点切割.甚至平面TEM分 析等,也无法有效找到失效机理,发现失效原L+xl。纳米探针是一种新发展起来的先进的失效分析和探测仪器,通过纳米级别探针测量,可以探测芯片内部微小的结构,使得失效定位迈入F晶体管级。在现代失效分析实验室・纳米探针已成为深亚微米制程的产品级失效分析必各的日常分析手段。
随着半导体制程的不断发展,越来越多造成器件失效的原因已经不再是外来的杂质微粒或可见制程缺陷,而是那些不容易被发现的微弱的内在缺陷。 TL5001CDR如栅氧化层的击穿、衬底缺陷、离子注人计量些微或统计意义⒈的波动等。传统失效分析方法,如芯片级失效位加破坏性的逐层剥离、B电爪的衬度定位,SEM观察、「IB定点切割.甚至平面TEM分 析等,也无法有效找到失效机理,发现失效原L+xl。纳米探针是一种新发展起来的先进的失效分析和探测仪器,通过纳米级别探针测量,可以探测芯片内部微小的结构,使得失效定位迈入F晶体管级。在现代失效分析实验室・纳米探针已成为深亚微米制程的产品级失效分析必各的日常分析手段。
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