STI CMP要求磨去氮化硅(SiN1)上的氧化硅(Si()2),同时又要尽可能减少沟槽中氧化硅的凹陷(dishing),参见图11.1。

   初期的s'r1CMP延用H~1,CMP的研磨液,以硅胶作为研磨颗OP2177ARZ粒(siIica based slurry)。硅胶研磨液的选择比很低(Si()⒓:SiN l~1),研磨的终点控制能力较差,I艺窗冂(processwindow)很窄。所以不得不使用抛光前平坦化的方法,比如反向光罩(reverse mask)等方 法,这大大增加r「艺成本e于是,高选择比(Si()2:siN l)3O)的研磨液(High&lectivity slurry,【ISS)应运而生.它用氧化铈(Cc02)作为研磨颗粒(ceria based slurry)。这样,SiN!就成F抛光的停止层(stop laycr),丁艺窗口大大加宽,反向光罩的方法成为历史,直接抛光(direct STI CMI))梦想成真,STI CMP大大地向前迈进了一步。至今为止,使用Ccria Based Slurry的抛光I艺仍然是STI CMP的主流方法。然而,任何东西都有它的局限性,(leria Based Slurry丁艺所产生的凹陷(2∞~600A,对于约10Oum宽的沟槽),依然是它的弱点,不能满足新技术对凹陷日益严格的要求。