离子注入就是将纯净的具有一定能量的带电离子均匀地注人硅片的特定位置(这个特定位置一般由光阻或其他掩膜层来定义)的过程。OH49E利用离子注人方法在半导体中掺杂是贝尔实验室的肖克利1954年的发明。通过离子注人形成掺杂(N型或P型硅衬底中掺人P型杂质硼、铟,或者掺人N型杂质磷、砷等),是制作半导体器件的基础。经过半个多世纪理论和实践的研究发展,离子注人技术和设备在半导体及超大规模集成电路制造业界已经非常成熟。但是随着CMOS器件的关键尺寸缩小到45nm以下,轻掺杂源漏的PN结深已经小于~90nm,而且对深度分布的轮廓要求越来越陡,这就要求注人离子的能量要足够低。如果以硼为标准换算,在遮5nm节点,PMOS轻掺杂源漏的离子注人能量要在1000eV甚至是几百个eV以下。如此低的能量,用传统的三氟化硼作为离子源根本无法调出稳定的束流 来满足△业生产的要求,在这种情况下,半导体业界已经开始用大分子团诸如碳硼烷(C2B1。H12,Bl。H1¨B2。H2:,B1:H22)等取代传统的BF∶、B^进行离子注入。另一方面,为了得到低阻值的超浅结,源漏极(SI))及源漏扩展结构(SDE)离子注人的能量在降低,而剂量却基本保持不变甚至有所增加,同时在注入离子活化方面,也引入了毫秒级的高温退火工艺。这使得器件对离子注人的缺陷控制很敏感,比如说离子注人引起的硅表面损伤和射程端缺陷将大大增加源漏端的漏电流,在后续的镍硅化物形成过程中可能形成管道陷。近些年来,离子注人缺陷控制的研究和应用也越来越深人和成熟,比如说低温离子注人和为F降低离子活化过程中瞬时增强扩散而额外的共同离子注人(如C、F、N)。下面就对这几种比较新的离子注入丁艺作简单介绍。