大分子离子注入(moIecuIar impIants)

   在注入能量小于lkeV的情况下,现有的离子注入设备已经很难调出稳定的束流来完成T∶艺需求,OP07CDR哪怕是用较高能量的萃取电压来得到离子束,然后再将离子束降低到所需的注人能量。为解决这一难题,业界用磷和砷的二聚和多聚离子,如P」、P1、As2、As丨来取代N型的P和As来作为NMOS管源漏极(sD)及源漏扩展结构(SI)E)离子注入源。因为要得到相应的注人射程,二聚和四聚离子的注人能量会高很多,对于离子注人机来说,就能得到相对高的束流;并且同时注人多个原子,也大大提高了注人效率。而对于PM(B来说,含硼的大分子,如B]。Hl¨BΙ:H22、C2Bl。Hl'等则用来取代传统的B或BF离子注入,以形成源漏扩展结构的超浅结。如图10.2「ll所示,在等效的注人能量相同的情况下,B1:和B36可以得到更大的注人束流。而传统的BF∶离子注人,虽然用很高的萃取比可以得到较大的注人束 流,但是一方面离子束流不稳定,容易随着距离放大而散焦.另一方面,离子束所带的能量不纯,容易造成能量污染。用B1:和B36,在等效于单个硼离子能量300eV条件下进行离子注人所得到的硼元素的纵向分布如图10,⒊∷所示.可以得到结深在10nm左右,纵向分布很陡的硼掺杂。除了上述的优点外,用大分子离子注入还有另一个显而易见的好处:lkJ为团半径大,质量数高,不用前置的非晶化离子注入就可以得到界面比较平整的非晶态层,经过热处理后也比较容易重新结晶化为形貌完整的单晶;而且大分子离子注人本身是掺杂和非晶态二合一的注人过程,它所造成的硅衬底的品格损伤和缺陷会比传统的注入方式低很多。正是因为具有上述优点,大分子离子注人应用在器件的制造上表现出一些优异的电学性能.