有机湿法去除光阻是靠打断光阻分子结构。早期的S912XEG128J2CAA有机去除剂主要是苯基系列,如EKC早期系列等,使用较为普遍,但由于其制程耗酸量大,难处理等原因,渐渐被少苯或无苯有机系列取代,如NMP和别的有机物,这类有机物可生物降级或稀释处理。有机相光阻的去除,主要应用在Al线制程的后段刻蚀和后高介金属栅极(HKMG hs0形成光阻的去除上。

   氧电浆灰化合并无机氧化去除(前段制程)

   这种方法的去除涵盖两方面的应用,一是STI沟道、栅极硅和接触窗刻蚀灰化后残留物的清除;二是离子植人灰化后残留物的清除。

   sTI沟道、栅极硅和接触窗刻蚀后清除。这=种刻蚀除STI沟道轮廓要求87°夕卜,其他都要求尽可能90°垂直。做到这一点,刻蚀时刻蚀气体和其他参数适度调配,有利于含 碳副产物粘附于侧壁,进而保护侧壁免受持续刻蚀的侵蚀,只朝一个垂直方向刻蚀。刻蚀副产物包含硅、碳、氧的聚合物,这样既含碳又含硅的副产物覆盖在刻蚀后的光阻表面、侧壁和底部,一般使用氧电浆灰化去除光阻,剩下的残留物,应用湿法组合(SPM >DHF)RCA)去除。SPM功能去除灰化后的残留碳,稀HF去除含硅副产物,RCA像前面讲过,去除金属离子和颗粒。