掩膜版误差因子(Mask Error Factor,MEF)或者掩膜版误差增强因子(Mask Er⒛rEnhancement Factor,MEEF)定义为在硅片上曝出的线宽对掩膜版线宽的偏导数。S2817A150掩膜版误差因子主要由光学系统的衍射造成,并且会因为光刻胶对空间像的有限保真度而变得更加大。影响掩膜版误差因子的因素有照明条件、光刻胶性能、光刻机透镜像差、后烘(PEB)温度等。最近十年来文献中曾经有许多对掩膜版误差因子的研究报告[ll],从这些研究可以看到:空间周期越小或者像对比度越小,掩膜版误差因子越大。对远大于曝光波长的图形,或者在人们常说的线性范围,掩膜版误差因子通常非常接近1。对接近或者小于波长的图形,掩膜版误差因子会显著增加。不过,除了以下特殊情况,掩膜版误差因子一般不会小于1:

   (1)使用交替相移掩膜版的线条光刻可以产生显著小于1的掩膜版误差因子。这是因为在空间像场分布中的最小光强主要是由邻近相位区所产生的180°相位突变产生的。改变相位突变处掩膜版上金属线的宽度对线宽影响不大。  

   (2)掩膜版误差因子在光学邻近效应修正中细小补偿结构附近会显著小于1。这是因 为对主要图形的细小改变不能被由衍射而造成分辨率有限的成像系统所敏感地识别。