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CMOs图像传感器

发布时间:2017/10/17 21:39:49 访问次数:590

   CIS英文全名CMOS(Comp1ementary Metal-O妊de Semiconductor)Image Sensor,中TA7668BP文意思是互补性金属氧化物半导体图像传感器。CMOS图像传感器虽然与传统的CMOS电路的用途不同,但整个晶圆制造环节基本上仍采用CMOS工艺,只是将纯粹逻辑运算功能变为接收外界光线后转变为电信号并传递出去,因而具有CMOS的基本特点和优势。不同于被动像素传感器(Passive Pixel⒏nsor),σS是带有信号放大电路的主动像素传感器(Active Pixel Sensor)。

   在目前最典型的4Transistor Pixel Photodiode(像素光电二极管)设计中,我们通过四个阶段来完成一次光电信号的收集和传递(见图3.33):第一步打开Tx和Rx晶体管,对光电二极管做放电预处理;第二步关闭Tx和Rx,通过光电效应让光电二极管充分收集光信号并转化为电信号;第三步打开Rx,让Floating Diffusion释放残余电荷;第四步关闭Rx并打开Tx,让光电子从Photodiode抽取到Floating Dffusion中,最后就可以通过Sx将电荷转换成电压进行放大以提高传输过程中抗干扰能力,并通过Rs做选择性输出[64’65]。随着图像传感器的应用范围不断扩大,及市场对图像品质要求不断提高,αS技术已从传统的FSI(Frontside Ⅱ1umination)过渡到当下主流的BSI(Backside Ⅱlumination)(见图3.34)。在完成传感器所有制程后(不包括PAD connection),就可以进入后端BSI制程,其主要步骤如下:

     


   CIS英文全名CMOS(Comp1ementary Metal-O妊de Semiconductor)Image Sensor,中TA7668BP文意思是互补性金属氧化物半导体图像传感器。CMOS图像传感器虽然与传统的CMOS电路的用途不同,但整个晶圆制造环节基本上仍采用CMOS工艺,只是将纯粹逻辑运算功能变为接收外界光线后转变为电信号并传递出去,因而具有CMOS的基本特点和优势。不同于被动像素传感器(Passive Pixel⒏nsor),σS是带有信号放大电路的主动像素传感器(Active Pixel Sensor)。

   在目前最典型的4Transistor Pixel Photodiode(像素光电二极管)设计中,我们通过四个阶段来完成一次光电信号的收集和传递(见图3.33):第一步打开Tx和Rx晶体管,对光电二极管做放电预处理;第二步关闭Tx和Rx,通过光电效应让光电二极管充分收集光信号并转化为电信号;第三步打开Rx,让Floating Diffusion释放残余电荷;第四步关闭Rx并打开Tx,让光电子从Photodiode抽取到Floating Dffusion中,最后就可以通过Sx将电荷转换成电压进行放大以提高传输过程中抗干扰能力,并通过Rs做选择性输出[64’65]。随着图像传感器的应用范围不断扩大,及市场对图像品质要求不断提高,αS技术已从传统的FSI(Frontside Ⅱ1umination)过渡到当下主流的BSI(Backside Ⅱlumination)(见图3.34)。在完成传感器所有制程后(不包括PAD connection),就可以进入后端BSI制程,其主要步骤如下:

     


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