瓷介电容器也是一种生产历史悠久、容易制造、成本低廉、安装方便、应用极S1A222AA01-DO为广泛的电容器,一般按其性能可分为低压小功率和高压大功率(通常额定工作电压高于1kV)两种。

   ①结构。常见的低压小功率电容器有瓷片、瓷管、瓷介独石等类型,如图1,8所示。在陶瓷薄片两面各喷涂一层银浆并焊接引线,披釉烧结后就制成瓷片电容器;若在陶瓷薄膜上印刷电极后叠层烧结,就能制成独石电容器。独石电容器的单位体积比瓷片电容器小很多,为瓷介电容器向小型化和大容量的发展开辟了良好的途径。

高压大功率瓷介电容器可制成鼓形、瓶形及板形等形式。这种电容器的额定直流电压可达30kV,容量范围为470~680OpF,通常用于高压供电系统的功率因数补偿。

    ②特点。由于所用陶瓷材料的介电性能不同,因而低压小功率瓷介电容器有高频瓷介(CC)、低频瓷介(CI)电容器之分。高频瓷介电容器的体积小、耐热性好、绝缘电阻大、损耗小、稳定性高,常用于要求低损耗和容量稳定的高频、脉冲、温度补偿电路,但其容量范围较窄,一般为1pF~0,1uF;低频瓷介电容器的绝缘电阻小、损耗大、稳定性损耗和容量稳定性要求不高的低频电路,在普通电子产品中广泛用做旁路、耦合元件。