【思考与启示】

   （1）二极管(包括肖特基二极管、高速二lI,管、PIX二极管)和TⅤs均可以作为鹾态干扰的保护, PH868C12但是保护原理不一样c二极管利用正向导通特性;TⅤS利用反向击穿原理:二极管与TⅤS相比通常具有更低的结电容,设计时一定要权衡其利弊。

   (2)如果使用二极管作为瞬态干扰的保护,则建议使用相应时间较快的二极管。

    案例笱:铁氧体磁环与EFT/B抗扰度

   【现象描述】

   某一种智能单相电表在电源端口进行幅度为±1kⅤ的Em/B抗扰度试验时,发现电表中的微处理器出现不正常的工作现象,即频繁复位、显示乱码、通信失效,有时还出现死机现象。

   【原因分析】

   检查该智能电表的电路结构发现,该电表有交流”0Ⅴ的电压供电,控制电路的工作电压由一线性电源变换而来。由于线性电源不像开关电源那样会产生高频电磁干扰,所以设计时并没有考虑在电源入口处采用电源滤波器,当然滤波器的成本较高也是其中的一个原因。关于E凹'/B干扰的实质已经在其他案例中有所描述,这里就不再重复了。要解决Em/B干扰,一般可以从以下三方面人手:

   (1)改变Er'/B干扰电流的流向,使其不经过产品中的敏感电路。

   (2)在EFT/B干扰电流还未到达敏感电路之前进行抑制,如在电源人口处增加对EFT/B干扰信号有抑制效果的滤波器。

   (3)增加电路本身的抗干扰能力,即使有E「r/B干扰电流流过,也不会出现异常现象(该方法风险较大)。

   其中方式(1)、方式(3)是在产品构架设计和电路设计时就应该考虑的问题;方式(2)是产品后期解决E「F/B抗扰度问题的最简单也是最有效的方法。测试中尝试用两根高温导线,双线并绕铁氧体磁环3圈(双线并绕是因为E田'/B干扰是以共模的形式出现的)。铁氧体磁环的外径为z~s mm,内径为15mm,高为12mm,相对磁导率为gOo;如图4.9s所示。