表面化学反应过程是指步骤③和步骤④,硅烷的主要化学反应方程式为,g表示为气态;a表示被衬底表面吸附状态;s表示为固态;双向箭头表示有逆向反应存在。

   化学气相淀积过程中,激活并OMAPL138BZWTD4维持化学反应的能量既可以是热能也可以是其他形式的能量。在热激活情况下,如果只有衬底温度高,硅烷被吸附后只在衬底表面发生分解反应生成硅和氢原子;而被其他形式能量激活或反应室温度较高的情况下,硅烷在气相就可能已有部分分解为 SiH2,SlH2被吸附,在衬底表面发生分解反应生成硅和氢原子。在衬底表面的硅原子尚未实现完全的规则排列,形成的是多晶硅薄膜,而两个氢原子结合成为氢分子,从衬底表面解吸。硅生长形成多晶膜的原因:其一是衬底温度较外延低,硅原子在表面的迁移慢,未能全部迁移到结点位置;其二是淀积速率过快,未等硅原子全部迁移到结点位置就被其他硅原子所覆盖,成为薄膜中的硅原子;其三是衬底表面可以不是单晶,如衬底硅片整个表面或部分表面已有氧化层。这三种原因可以全部存在或是其中的某一、两个存在。由此可知CˇD的表面淀积过程与气相外延的表面外延过程不尽相同。其他淀积薄膜如氮化硅、二氧化硅在反应室的化学过程比多晶硅更加复杂,且所淀积的氮化硅或二氧化硅在衬底表面都未实现规则排列,生长的是非晶态薄膜。