工艺过程中具有较低的热开销(Thermal Budgct),以减少热扩散过程中的杂质再分布。 OMAPL138BZWTD4近几年来对薄栅介质层研究主要集中在解决上述所提到的一些问题上,可分为迮大类主流方法,即各种预氧化清洁工艺、各种氧化△艺、化学改善栅氧化层工艺和沉积氧化层或叠层氧化硅作为栅介质。薄氧化层的生长必须足够慢,才能保证获得均匀性和重复性较好的⒏O2层。薄氧化层生长情况及氧化层性质与清洗工艺和所用试剂的纯度有着密切的关系。薄氧化层生长工艺包括干氧氧化、含有H¤的干氧氧化、湿氧氧化、减压氧化和低温高压氧化等。工艺条件对氧化层质量有重大影响,例如,高温生长的氧化层比低温生长的氧化层缺陷密度高;用HCl气氛钝化钠离子、改善击穿电压和吸除硅中的杂质和缺陷,在较高温度下进行效果才好。为了生长高质量的薄氧化层,可采用两步氧化工艺:先在中等温度(低于或等于100O℃)下用干氧、H2气氛形成均匀、可重复的低缺陷密度氧化层,再在1150℃温度下于、、0和HCl气氛中进行热处理,这一步达到钝化目的和得到所希望的氧化层厚度。

    采用低压G⑩是目前生长薄氧化层的一种有效方法。一般I艺条件是,温度在∞0~10∞℃,氧的压力为33.33~266.m%,可生长出从几十至⒛0A厚度的薄氧化层。这种方法生长的氧化层,其腐蚀速率与950℃和一个大气压干氧氧化生长的氧化层的腐蚀速率一样,其他性质也均能达到满意的效果。快速热氧化(Ra“d Thermd O茹da0oll,RTo)工艺适合用于生长深亚微米芯片所需的超薄氧化层。一般而言,对0,25um工艺,其栅氧化层厚度在6~7nm之间;对0.18um工艺,其栅氧化层厚度只有4nm;对0.13um工艺,其栅氧化层厚度只有3nm。cMOS器件尺寸越来越小,栅介质越来越薄。利用RTO工艺生长的超薄氧化层一般具有极好的电学特性,可与传统高温氧化炉生长法相比拟,甚至更好。