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薄膜元件

发布时间:2017/2/19 18:43:01 访问次数:523

   (1)薄膜电阻器

   所有膜式元器件中,薄膜电阻器的技术比较成熟;薄膜电阻器的种类繁多,但应用HCPL-4506-000E最多的是镍铬电阻器和钽系电阻器。常见的薄膜电阻器还包括单元素金属薄膜电阻器、合金膜电阻器、钽系薄膜电阻器和金属陶瓷薄膜电阻器等。

   (2)薄膜电容器

   这类元器件的结构与厚膜电容器基本相同,也是由两组导体隔有中间介质而构成的。采用不同的介质时,薄膜电容器的电气参数亦不同;常见的中间介质包括一氧化硅、一氧化锗、二氧化硅、二氧化锆、二氧化钛、二氧化铪、二氧化锡、二氧化钍、二氧化铈、二氧化镁、二氧化二铝、三氧化二钕、氮化硅、硫化锌、钛酸钡、钛酸锰等。

   (3)外贴元件

   厚膜技术制成的电阻器已经比较成熟,但电容器的产量很少;通常的制作方法是以薄膜技术来制作电阻器、电容器和电感量很小的电感器,而将二极管、晶体管和半导体集成电路等有源器件外贴至集成块内;同时,为了提高电路功能、降低成本、保证电路设计的活 性,也可将某些电阻器、电容器和调谐元件外贴人混合集成电路块中。

   (1)薄膜电阻器

   所有膜式元器件中,薄膜电阻器的技术比较成熟;薄膜电阻器的种类繁多,但应用HCPL-4506-000E最多的是镍铬电阻器和钽系电阻器。常见的薄膜电阻器还包括单元素金属薄膜电阻器、合金膜电阻器、钽系薄膜电阻器和金属陶瓷薄膜电阻器等。

   (2)薄膜电容器

   这类元器件的结构与厚膜电容器基本相同,也是由两组导体隔有中间介质而构成的。采用不同的介质时,薄膜电容器的电气参数亦不同;常见的中间介质包括一氧化硅、一氧化锗、二氧化硅、二氧化锆、二氧化钛、二氧化铪、二氧化锡、二氧化钍、二氧化铈、二氧化镁、二氧化二铝、三氧化二钕、氮化硅、硫化锌、钛酸钡、钛酸锰等。

   (3)外贴元件

   厚膜技术制成的电阻器已经比较成熟,但电容器的产量很少;通常的制作方法是以薄膜技术来制作电阻器、电容器和电感量很小的电感器,而将二极管、晶体管和半导体集成电路等有源器件外贴至集成块内;同时,为了提高电路功能、降低成本、保证电路设计的活 性,也可将某些电阻器、电容器和调谐元件外贴人混合集成电路块中。

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