光刻胶被应用在印刷工业上已经超过一个世纪了。在20世纪20年代，人们才AD8042AR-REEL发现它在印制电路板领域可以有广泛的应用。半导体工业采纳这种技术来生产晶圆是在20世纪50年代。在20世纪50年代末，Eastman Kodak和Shipley公司分别设计出适合半导体T业需要的正胶和负胶。

   光刻胶是光刻工艺的核心。准备、烘焙、曝光、刻蚀和去除工艺会根据特定的光刻胶性质和想达到的预期结果而进行微调。光刻胶的选择和光刻胶工艺的研发是一项非常漫长而复杂的过程。一旦一种光刻工艺被建立，是极少改变的。

   光刻胶的生产既是为了普通的需求，也是为了特定的需求。它们会根据不同光的波长和不同的曝光源而进行调试。光刻胶具有特定的热流动性特点，用特定的方法配制而成，与特定的表面结合，．这些属性是由光刻胶里不同化学成分的类型、数量以及混合过程来决定的。在光刻胶瞿有4种基本的成分（见图8. 10）：聚合物、溶剂、感光剂和添加剂（见第10章）。

   光敏性和对能量敏感的聚合物：对光刻胶光敏性有影响的成分是一些对光和能量敏感的特殊聚合物。聚合物是由一组大而重的分子组成的，这些分子包括碳、氢和氧。塑料就是一种典型的聚合物。

   光刻胶被设计成与紫外线和激光反应，称为光学光刻胶( optical resist)。还有其他光刻胶可以与X射线或者电子束反应。在一种负胶中，聚合物曝光后会由非聚合状态变为聚合状态~，实际上这些聚合物形成了一种相互交联的物质，它是抗刻蚀的物质（见图8. 11）。当光刻胶被加热或正常光照射也会发生聚合反应。为了防止意外曝光，负胶的生产是在黄光的条件下进行的。