干氧：当氧气被用做氧化剂时，它由厂房设施供应或由靠近气体柜的压缩氧气罐供应。 IPW50R140CP气体必须是干燥的，不能有水分。，氧气中的水分可以加快氧化速度，使得氧化层厚度超出规定范围（例如，out-of-spec】。干氧适合于MOS器件中非常薄的栅极氧化层（约为iooo A）。

   水汽氧化：给炉管供应水蒸气有好几种方法。方法的选择取决于厚度的要求和器件对氧化层洁净度的要求。，

   气泡发生器：历史上，炉管中所需的水蒸气由气泡发生器产生。它是具有加热器和保持去离子水( DI)被加热到接近沸点(98℃~99℃)的容器，这样在液体上面的空间产生水蒸气。携带气体带着水气进入加热的炉管，在那里它变成水蒸气。（化气泡发生器与在第1 1章描述的液态掺杂剂气泡发生器结构相同。）

   气泡发生器的主要缺点是当控制水蒸气进入炉管时，会使液面变化并引起水温的波动。气泡发生器中由于脏水和脱落物导致污染炉管和氧化层的问题，永远是个问题。这个问题由于定期打开系统补充水而变得更加严重。

   干氧氧化( dryox)：随着MOS器件的引进，对洁净度及厚度的控制有了新的要求。MOS晶体管的心脏是栅极的结构，栅极的关键层是很薄的热氧化层，液态水蒸气系统对于生长薄的、洁净的栅氧化是不可靠的。答案是要用干氧氧化（或干蒸气）工艺。

   在于氧化系统中，气态氧气和氢气直接进入炉管。在炉管中两种气体混合，并在高温的影响下形成水蒸气，导致往水蒸气中的湿氧化。于氧化系统提供了一个比液态系统改进了的控制及洁净度。第一，可以买到非常干净和干“于氧”（r蒸气）水汽源的气体；第二…二，进入炉管的气体总量可以被质量流量控制器非常精确地控制。在制造高级器件时，干氧氧化比其他氧化方法更优越。