根据加速电压和覆盖层情况不同，轰击到CCD像敏元上的电子能量也不同。一般，JLC1562BFELG每个光电子可以产生大约2000～3000个电子。作为光子探测器应用，这种增益量级已经足够。例如，若CCD芯片上放大器噪声为300个电子，则很易分清有一个光电子或者没有光电子。而作为微光摄像应用，由于二代像增强器光阴极的灵敏度可达400 yA/lm以上，所以，EBCCD也可以实现高灵敏度、高电子增益和低暗电流。

   EBCCD的不足是工作寿命短。CCD在高速电子轰击下会产生辐射损伤，辐射损伤使暗电流和漏电流增加，转移效率下降，从而严重影响CCD的寿命。采用背面辐照方式，情况有所改善，但需要增加工艺步骤，成品率低。

   除上述两种得到应用的微光CCD外，还可以使背照减薄的帧／场转移结构CCD在低温下工作，以大大地降低暗电流，并允许增加每场光积分时间，而进一步提高信噪比。倒像式EBCCD的结构面光照器件的量子效率典型值为25%左右，而背照器件的量子效率可高达80%。制冷器件适用于凝视工作模式，已经在天文观察方面获得成功的应用。电子倍增CCD成像器件