不用说，所有用来喷洒光刻胶的设备都保持在尽可能洁净的条件下。除了系统BCM5788MKFB中颗粒污染物的影响，干化的光刻胶也会累积在光刻胶管内进而污染光刻胶，所以光刻胶管必须定期清洗。清洗代理商必须核宾它和光刻胶的兼容性。例如，三氯乙烯( TCE)不能用于负胶，因为它能在光刻胶中产生气泡。

    接下来的内容将介绍基本的光刻Ij艺十步法。其中包括每一步的目的、技术考虑和挑战、选项和I：艺控制方法等，对于先进的设计规则光刻工艺使用这些基本的工艺步骤的变化和不同的组合（见第10章）。

   贯穿全文，我们会用不同的类推方法来帮助读者理解复杂的工艺过程。对于光刻工艺的一个很好的类比就是涂漆工艺。即使是一个业余的油漆匠也会很快学会，要想最终得到一个平滑而且结合很好的膜，表面必须干燥而且干净。这个道理在光刻工艺过程中同样也适用。为确保光刻胶能和晶圆表面很好地黏结，必须进行表面准备。这一步骤是由3个阶段完成的：微粒清除、脱水烘焙和晶圆涂底胶。

   晶圆几乎总是从一个清洁的区域来到光刻区域的，如氧化、掺杂、化学气相淀积。然而，晶圆在存储、装载和卸载到片匣过程中，可能会吸附到一些颗粒状污染物，而这些污染物是必须清除掉的。根据污染的等级和工艺的需要，可以用几种不同的微粒清除方法。最极端的情况是，可能会给晶圆进行化学湿法清洗，这种方法和氧化前清洗比较相似，。岂包括酸清洗、水冲洗和烘于。所使用的酸必须要和晶圆表面层兼容。微粒清除方法和第7章所介绍的是相同的：手动吹扫、机械洗刷和高压水喷洗。