深槽侧壁的形貌关系到后道工艺的顺利进行和器件的光电特性。一般有3种不同形式的侧壁,即垂直型、斜面型和阶梯型。分析表明,K4S281632D-NL75垂直型的侧壁不利于电极材料的生长,通过溅射或蒸发方法在侧壁上淀积的金属材料相对于平面结构会比较薄,而斜面型的侧壁上金属的覆盖率会提高很多。另外,台阶型的侧壁需要两块掩膜板,成本增加,彐.在台阶间的转角处金属附着也并不理想。因此,一般深槽侧壁形貌设计成斜面型。在其他℃P参数设置不变的情况下,改变RF功率可以影响侧壁倾斜度,随着V功率的减小,侧壁的斜度也逐渐减小Dq。选用不同的掩膜材料也可以影响ICP刻蚀的形貌,当掩膜材料的垂直度较低时,若刻蚀选择比不高,则会得到和掩膜斜度相似的侧壁;若掩膜材料的垂直度较高时,则无论选择比如何,都将得到垂直度较高的侧壁。光刻胶做为ICP亥刂蚀掩膜时其垂直度较低,但由于深槽刻蚀的时间较长,首先需要甩厚胶才能保证不会刻蚀到p型 材料,更重要的是长时间的刻蚀会引起滩胶或糊胶现象,从而导致刻蚀图形失真或清洗困难。因此,采用siα薄膜做为掩膜材料效果更好,通过改变RF功率来调节刻蚀侧壁的倾斜度。图午46所示为扫描电子显微镜下的侧壁剖面。