电子阻挡层对空穴注入的影响
发布时间:2016/8/1 22:44:02 访问次数:2886
如图⒉25所示,L7805CV电子阻挡层的价带势垒高度高于少G扒层,阻碍了空穴从p型层注入到多量子阱区;此外,由于A1GaN层与p-GaN层之间存在着自发极化电场差以及界面处的晶格不匹配产生的压电极化电场,会在两者界面处AlGaN价带内形成尖峰,进
一步阻挡空穴有效注入。L7805CV研究表明,在小注入电流条件下,有AlGaN电子阻挡层的蓝光LED样品的外量子效率高于无AlGaN的样品;在大电流注入下,结果正好相反。研究人员认为在小电流注入 条件下,AlGraN电子阻挡层对空穴注入发光复合区的阻挡效应不是很明显,而其较高的导带势垒能有效地抑制电子的泄漏,从而获得比无电子阻挡层LED高的量子效率。但在大电流注入下,是否有p型电子阻挡层对发光复合区的电子浓度影响不大,此时迸入发光复合区的空穴数量对外量子效率起主导作用.
如图⒉25所示,L7805CV电子阻挡层的价带势垒高度高于少G扒层,阻碍了空穴从p型层注入到多量子阱区;此外,由于A1GaN层与p-GaN层之间存在着自发极化电场差以及界面处的晶格不匹配产生的压电极化电场,会在两者界面处AlGaN价带内形成尖峰,进
一步阻挡空穴有效注入。L7805CV研究表明,在小注入电流条件下,有AlGaN电子阻挡层的蓝光LED样品的外量子效率高于无AlGaN的样品;在大电流注入下,结果正好相反。研究人员认为在小电流注入 条件下,AlGraN电子阻挡层对空穴注入发光复合区的阻挡效应不是很明显,而其较高的导带势垒能有效地抑制电子的泄漏,从而获得比无电子阻挡层LED高的量子效率。但在大电流注入下,是否有p型电子阻挡层对发光复合区的电子浓度影响不大,此时迸入发光复合区的空穴数量对外量子效率起主导作用.
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