不同量子阱形状对载流子分布的影响
发布时间:2016/8/1 21:15:27 访问次数:1154
传统的InGaN量子阱为两个完全对称的GaN势垒层包夹一个均一组分的InGaN势阱层的结构。L6561为了解决传统量子阱中电子空穴分布不对称的问题,研究人员尝试各种不规则量子阱结构来改变量子阱的能带结构,最大限度地增加电子空穴波函数重叠积分,最终提高载流子复合效率,实现高发光效率。
最常见的不规则量子阱结构之一为台阶型量子阱结构,其能带示意图如图⒉19所示。采用台阶阱结构可改善量子阱层中的极化电场,使量子阱能带的倾斜度减小,并改善了有效量子阱的宽度,电子和空穴的空间重叠程度增加。
传统的InGaN量子阱为两个完全对称的GaN势垒层包夹一个均一组分的InGaN势阱层的结构。L6561为了解决传统量子阱中电子空穴分布不对称的问题,研究人员尝试各种不规则量子阱结构来改变量子阱的能带结构,最大限度地增加电子空穴波函数重叠积分,最终提高载流子复合效率,实现高发光效率。
最常见的不规则量子阱结构之一为台阶型量子阱结构,其能带示意图如图⒉19所示。采用台阶阱结构可改善量子阱层中的极化电场,使量子阱能带的倾斜度减小,并改善了有效量子阱的宽度,电子和空穴的空间重叠程度增加。
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