IPDQ60R022S7AXTMA1

IPDQ60R022S7AXTMA1制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HDSOP-22
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 24 A
Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 416 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: S7A
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 750
子类别: MOSFETs
零件号别名: IPDQ60R022S7A SP002373870