IMYH200R012M1HXKSA1

IMYH200R012M1HXKSA1制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 2 kV
Id-连续漏极电流: 123 A
Rds On-漏源导通电阻: 16.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 246 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 552 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolSIC
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 24 ns
正向跨导 - 最小值: 30 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
零件号别名: IMYH200R012M1H SP005427368