MMIX1T600N04T2

MMIX1T600N04T2制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMPD-24
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 600 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 590 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 830 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
系列: MMIX1T600N04
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 20
子类别: MOSFETs
单位重量: 8 g