参数名称
参数值
Source Content uid
FDG8850NZ
Brand Name
Fairchild Semiconductor
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
Objectid
1650360654
零件包装代码
SC-70
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数
6
制造商包装代码
6LD,SC70,EIAJ SC-88,1.25MM WIDE
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
3.45
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.75 A
最大漏极电流 (ID)
0.75 A
最大漏源导通电阻
0.4 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
25 pF
JESD-30 代码
R-PDSO-G6
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
2
端子数量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.36 W
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON