Source Content uid FQD2N60CTM
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
生命周期 Lifetime Buy
Objectid 4001118201
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码 369AS
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.27
雪崩能效等级（Eas） 120 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.9 A
最大漏极电流 (ID) 1.9 A
最大漏源导通电阻 4.7 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 7.6 A
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
