SN74LV126ADR

SN74LV126ADR_KLM8G1GEME-B041 存储IC导读

据IC Insights统计，在过去的10年中(2009-2018年)，全11球半导体制造商总共关闭或重建了97座晶圆厂。其中，关闭了42座150mm晶圆厂和24座200mm晶圆厂，而关闭的300mm晶圆厂数量仅占关闭总数的10%。。具体如下图所示。

。随着制程工艺的成熟与进步，以及市场需求的增加，越来越多的公司采用20nm以下的先进工艺设计、生产IC和器件，这使得越来越多的IDM和代工厂淘汰生产效率低下的晶圆厂。

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FP6276

LSM6DSOQTR 其他传感器 LSM6DS3TR-C DG2750DN-T1-E4 KLM8G1GEME-B041 存储IC AR8032-BL1A RTL8201CP FSA644BUCX LIS2HH12TR IC TC58NVG0S3HTA00 TC58NVG1S3ETA00 。

新型降压-升压型充电器可帮助工程师减小解决方案尺寸和物料清单（BOM），是TI个完全集成下述组件的器件：开关金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、充电路径管理FET、输入电流和充电电流检测电路和双输入选择驱动器。充电器可提供155 mW/mm2（100 W/in2）的功率密度，高于市场约两倍。

DS3553 TC58NVG0S3HTA00 存储IC SGM8904YMS10G TPD12S521DBTR RT5509WSC GM7150BC SKY77592-21 6223A-SRD D6DA1G842K2C7-Z LIS3DHTR 。

AW87329CSR 1RAE19200BAA MT29C1G12MAADYAMD-5 IT KMFJ20005A-B213 SD18-2535R8UUM2 B9923 F5QA942M5M2AW HSCDTD601A-29 IC 。

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SKY77592-21

TPS65400RGZR TPS65400RGZT TPS92515QDGQRQ1 TPS92515QDGQTQ1 TPS560430XFDBVT 。

KSZ8851SNL SY8032EABC SY8120B1ABC D5DA876M5K2P6-Z IC TC58NVG1S3ETA00 存储IC BGS18MA14 SAFEA2G35MF0F0AR15 B8813 IC TYC0FH121642RA SGM8903YTS14G IC 。

简而言之，BAW技术的进步为有线和无线网络带来了“更高的性能，更简单的设计，更低的成本和更小的尺寸”，Wong解释道。

TPS63060DSCR TPS63030DSKR TPS63060DSCT TPS63070RNMR TPS630701RNMR 。

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合适的BAW压电材料需要high electromechanical coupling coefficient，low electromechanical loss，high thermal stability，还要符合IC工艺技术。石英(quartz)作为常见的压电材料，在高电压和高压力的情况下表现出线性反应，但还没有合适的方法把石英做成薄膜deposit在Si衬底上。

而对于SAW，也叫Rayleighsurface wave，既有纵波也有横波。。固体中粒子以椭圆轨迹震动，椭圆的长轴垂直于固体表面，随着固体深度越深，粒子运动幅度越小。

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10NH5-030104-00R ACES SMD
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10NR6-H01019-G1R VENDER SMD
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10R-5%-1210-1/3W UNIOHM/厚声 SMD
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10SQ045 肖特基二极管 PHY DO-201AD
10SQ050 PANJIT/强茂 P-600
10SQ100 SUNMATE森美特 R-6
10SVP10M SANYO/三洋 SMD
10SVPA68MAA PANASON SMD
10SVPC68MV 铝电解电容 SANYO/三洋 SMD
10TC-0370-16N NENLAND QFN
10TC-0390-11N-0 NENLAND QFN
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10TPC100M IC PANASONIC/松下 SMD
10TPC68M IC PANASONIC/松下 SMD
10TPE47MAZB 钽电容 SANYO/三洋 2kreel
10TPU4R7MSI PANASONIC/松下 SMD