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OB2365TAP-H

发布时间:2021/9/27 20:27:00 访问次数:178

OB2365TAP-H_SGM8903YTS14G IC导读

它可在1-?A负载下可提供80%的极高轻载效率,从而使设计人员能够延长其系统的电池使用寿命,或使用更少或更小的电池来缩小其整体电源解决方案尺寸并降低成本。德州仪器(TI)于今日推出一款超低功率开关稳压器TPS62840,其工作静态电流(IQ)可达到60nA,仅为业界类似器件的1/3。此外,新型DC/DC转换器的输入电压(VIN)范围较宽,为1.8V至6.5V,能够支持各种化学电池和配置。

据IC Insights统计,在过去的10年中(2009-2018年),全11球半导体制造商总共关闭或重建了97座晶圆厂。其中,关闭了42座150mm晶圆厂和24座200mm晶圆厂,而关闭的300mm晶圆厂数量仅占关闭总数的10%。。具体如下图所示。


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BQ25606RGER

BQ25790采用2.9mm x 3.3mm、56引脚WCSP封装,现在可从TI及其授权经销商处购买。。BQ25792采用4mm x 4mm、29引脚QFN封装,现在可从TI和授权经销商处购买。完整卷轴和定制卷轴可登录TI.com及通过其他渠道获得,1000件起购。

DS3553 TC58NVG0S3HTA00 存储IC SGM8904YMS10G TPD12S521DBTR RT5509WSC GM7150BC SKY77592-21 6223A-SRD D6DA1G842K2C7-Z LIS3DHTR 。

BQ25790和BQ25792提供了一节电池到四节电池充电的灵活性,同时兼容USB Type-C和USB PD输入标准,在整个输入电压范围(3.6 V至24 V)内充电电流可达5 A。充电器集成的双输入选择器支持包括无线、USB、筒状插孔和太阳能充电在内的多类电源,同时提供快速充电——30 W时效率高达97%。

新型降压-升压型充电器可帮助工程师减小解决方案尺寸和物料清单(BOM),是TI个完全集成下述组件的器件:开关金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、充电路径管理FET、输入电流和充电电流检测电路和双输入选择驱动器。充电器可提供155 mW/mm2(100 W/in2)的功率密度,高于市场约两倍。


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F5QA942M5M2AW

为了把声波留在压电薄膜里震荡,震荡结构和外部环境之间必须有足够的隔离才能得到小loss和大Q值。声波在固体里传播速度为~5000m/s,也就是说固体的声波阻抗大约为空气的105倍,所以99.995%的声波能量会在固体和空气边界处反射回来,跟原来的波(incident wave)一起形成驻波。。而震荡结构的另一面,压电材料的声波阻抗和其他衬底(比如Si)的差别不大,所以不能把压电层直接deposit(沉积)在Si衬底上。

BQ24311DSGR TIC10024QDCPRQ1 TL331IDBVR TL331IDBVT TPS63070RNMT 。

KSZ8851SNL SY8032EABC SY8120B1ABC D5DA876M5K2P6-Z IC TC58NVG1S3ETA00 存储IC BGS18MA14 SAFEA2G35MF0F0AR15 B8813 IC TYC0FH121642RA SGM8903YTS14G IC 。

UCC28063DR LM536003QDSXRQ1 UCC2892DR MSP430FR2111IPW16R UCC21520QDWRQ1 。

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Ladder type可以用在单端(single-ended/unbalanced)和差分(balanced)信号上,而lattice type更适合用在差分(balanced)信号上。

TI新推出的搭载?BAW技术的最新款SimpleLink?多重标准MCU可集成到低功率无线射频设备中,例如低功耗无晶体蓝牙和Zigbee?技术,从而减少由外部晶体引起的无线射频故障。


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