一般说明：MX25L3235EM2I-10G
MX25L3235E是32Mb位串行闪存，内部配置为4,194,304 x 8。一分为二或四个I / O模式，结构变为16,777,216位x 2或8,388,608位x4。MX25L3235E具有串行外设接口和软件协议，允许在单个I / O时在简单的3线总线上运行
模式。这三个总线信号是时钟输入（SCLK），串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS＃输入启用对设备的串行访问。
MX25L3235E，MXSMIO®
（Serial Multi I / O）闪存，在整个芯片和
多I / O功能。
当处于双I / O模式时，SI引脚和SO引脚变为用于地址/虚拟位输入的SIO0引脚和SIO1引脚
和数据输出。在四方I / O模式下，SI引脚，SO引脚，WP＃引脚和HOLD＃引脚变为SIO0引脚，
SIO1引脚，SIO2引脚和SIO3引脚用于地址/虚拟位输入和数据输入/输出。
发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法可对/编程并验证
指定的页面或扇区/块位置将被执行。程序命令以字节或页为单位执行（256
字节（以字节为单位）或连续编程模式的字为基础，并且擦除命令在扇区（4K字节）上执行，
块（32K字节/ 64K字节）或整个芯片为单位。
为了给用户提供方便的界面，其中包括一个状态寄存器以指示芯片的状态。状态
可以通过WIP位发出读取命令以检测程序的完成状态或擦除操作。
当设备不运行且CS＃为高电平时，它将进入待机模式。
MX25L3235E利用Macronix专有的存储单元，即使在经过
100,000个编程和擦除周期。
特征：MX25L3235EM2I-10G
一般
•支持串行外围设备接口-模式0和模式3
•33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位（两个I / O模式）结构或8,388,608 x 4位（四个I / O）
模式）结构
•1024个相等的扇区，每个扇区4K字节
-任何部门都可以单独删除
•128个相等的块，每个块32K字节
-任何块都可以单独删除
•64个相等的块，每个块64K字节
-任何块都可以单独删除
•电源操作
-2.7至3.6伏，用于读取，擦除和编程操作
•锁存保护，从-1V到Vcc + 1V至100mA
性能：MX25L3235EM2I-10G
•高性能
VCC = 2.7〜3.6V
-正常阅读
-50MHz的
-快速阅读
-1个I / O：104MHz具有8个虚拟周期
-2个I / O：86MHz，带有4个虚拟周期用于2READ指令
-4 I / O：最高104MHz
-可配置的虚拟周期数，用于4个I / O读取操作
-快速编程时间：0.7ms（典型值）和3ms（最大）/页（每页256字节）
-字节编程时间：12us（典型值）
-连续编程模式（在字编程模式下自动增加地址）
-快速擦除时间：每扇区30ms（典型值）（每扇区4K字节）； 0.25s（典型值）/块（每个块64K字节）; 10s（典型值）/
芯片
•低功耗
-低有效读取电流：104MHz时最大19mA，33MHz时最大10mA
-低有效编程电流：15mA（典型值）
-低有效扇区擦除电流：10mA（典型值）
-低待机电流：15uA（典型值）
-深度掉电电流：1uA（典型值）
•典型的100,000次擦除/编程周期
•20年数据保留
软件功能：MX25L3235EM2I-10G
•输入数据格式
-1字节命令代码
•高级安全功能
-BP0-BP3块组保护
-OTP WPSEL = 1时，灵活的单个块保护
-额外的4K位安全OTP用于唯一标识符
•自动擦除和自动编程算法
-自动擦除和验证所选扇区的数据
-通过内部算法自动编程并验证所选页面上的数据，该算法自动计时
编程脉冲宽度（任何要编程的页面应首先使页面处于擦除状态。）
•状态寄存器功能
•电子识别
-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
-1字节设备ID的RES命令
-用于1字节制造商ID和1字节设备ID的REMS，REMS2，REMS4命令
•支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式
硬件功能：MX25L3235EM2I-10G
•SCLK输入
-串行时钟输入
•SI / SIO0
-2 x I / O模式和4 x I / O模式的串行数据输入或串行数据输入/输出
•SO / SIO1
-2 x I / O模式和4 x I / O模式的串行数据输出或串行数据输入/输出
•WP＃/ SIO2
-硬件写保护或串行数据输入/输出，用于4 x I / O模式
•HOLD＃/ SIO3
-暂停设备而不取消选择设备或4 x I / O模式的串行数据输入/输出
•包装
-16针SOP（3亿）
-8针SOP（2亿）
-8-WSON（6x5mm）
-所有设备均符合RoHS且无卤素
