一般说明：MX25L1006EZUI-10G
MX25L1006E是CMOS 1,048,576位串行闪存，内部配置为131,072 x 8。 MX25L1006E具有串行外围设备接口和软件协议，可在简单的3线总线上运行。这三个总线信号是时钟输入（SCLK），串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。串行访问
通过CS＃输入启用到设备的连接。
MX25L1006E在整个芯片上提供顺序读取操作。
发出编程/擦除命令后，将执行自动编程/擦除算法，以编程/擦除并验证指定的页面或扇区/块位置。程序命令以页（256字节）为基础执行，并且
擦除命令在芯片或扇区（4K字节）或块（64K字节）上执行。
为了给用户提供方便的界面，其中包括一个状态寄存器以指示芯片的状态。状态读取
可以通过WIP位发出命令以检测程序的完成状态或擦除操作。
当设备不运行且CS＃为高电平时，它将进入待机模式。
MX25L1006E利用Macronix专有的存储单元，即使在经过
100,000个编程和擦除周期。
一般：MX25L1006EZUI-10G
•兼容串行外设接口-模式0和模式3
•1,048,576 x 1位结构或524,288 x 2位（双输出模式）结构
•32个相等的扇区，每个扇区4K字节
-任何部门都可以单独删除
•2个相等的块，每个块64K字节
-任何块都可以单独删除
•单电源供电
-2.7至3.6伏，用于读取，擦除和编程操作
•锁存保护，从-1V到Vcc + 1V至100mA
性能：MX25L1006EZUI-10G
•高性能
-快速访问时间：104MHz串行时钟
-双输出模式的串行时钟：80MHz
-快速编程时间：0.6ms（典型值）和3ms（最大）/页（每页256字节）
-字节编程时间：9us（典型值）
-快速擦除时间：40ms（典型值）/扇区（每个扇区4K字节）； 0.8s（典型值）和2s（最大）/芯片
•低功耗：MX25L1006EZUI-10G
-低有效读取电流：104MHz时为12mA（最大值），33MHz时为4mA（最大值）
-低有效编程电流：15mA（典型值）
-低有效扇区擦除电流：9mA（典型值）
-低待机电流：15uA（典型值）
-深度掉电模式2uA（典型值）
•最少100,000次擦除/编程周期
•20年数据保留
软件功能：MX25L1006EZUI-10G
•输入数据格式
-1字节命令代码
•块锁保护
-BP0〜BP1状态位定义了要通过编程和擦除指令进行软件保护的区域的大小。
•自动擦除和自动编程算法
-自动擦除和验证所选扇区的数据
-通过内部算法自动编程和验证所选页面上的数据，该算法会自动对
编程脉冲宽度（任何要编程的页面应首先使页面处于擦除状态）
•状态寄存器功能
•电子识别
-JEDEC 2字节设备ID
-RES命令，1字节设备ID
•支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式
硬件功能：MX25L1006EZUI-10G
•SCLK输入
-串行时钟输入
•SI / SIO0
-用于双输出模式的串行数据输入或串行数据输出
•SO / SIO1
-串行数据输出或双输出模式的串行数据输出
•WP＃针
-硬件写保护
•HOLD＃针
-暂停筹码而不选择筹码
•包装
-8针SOP（1.5亿）
-8-USON（2x3毫米）
-8球WLCSP
-所有设备均符合RoHS且无卤素
