描述：IRL540NPBF
100V正极N通道HEXFET功率MOSFET，采用TO-220AB封装
特征描述：IRL540NPBF
宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
根据JEDEC标准的产品认证
硅经过优化，适用于低于100kHz的开关应用
行业标准的通孔电源封装
高电流承载能力封装（高达195 A，取决于芯片尺寸）
能够波峰焊
制造商: Infineon
产品种类: MOSFETRoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 36 A
Rds On-漏源导通电阻: 44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 49.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 14 S
下降时间: 62 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 81 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
单位重量: 6 g
